[发明专利]并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器

说明书

本发明提供了一种并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器，所述并联PPS电容器的制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；利用第一光罩形成第一沟槽和第二沟槽；形成隔离层；利用第二光罩形成第一插塞、第二插塞及第三插塞，本发明在不额外增加光刻、刻蚀等多道工艺步骤的情况下，新增加一由所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成的第一PPS电容器，极大效率地利用了已有的所述第一多晶硅层、第一介质层，使得器件的总电容值有了显著的提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器。

背景技术

PPS(polypropylene film，聚丙烯薄膜)电容器是一种广泛应用于频率调制和防止模拟电路发射噪声的器件，其具有由多晶硅(通常是制作半导体器件中的逻辑电路的栅极电极的材料)形成的下部电极和上部电极。

但是目前在半导体器件中，PPS电容器通常存在电容值较小的问题，从而导致集成电路的滤波效果差的缺陷。目前为了提高PPS电容器的电容值，通常的做法是使用新的光罩以在逻辑区的一PPS电容器上形成新的插塞，从而形成与其并联的另一PPS电容器，但是这样会额外增加光刻、刻蚀等多道工艺步骤，这势必增加了工艺时长，降低了工作效率，同时也不符合尺寸较小的半导体器件的要求，所以急需一种新的PPS电容器的制作方法，以在尽量不增加额外的工艺步骤的情况下来解决PPS电容器的电容值较小的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器，以解决在不增加额外的工艺步骤的情况下增大PPS电容器的电容值的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种并联PPS电容器的制作方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；

利用第一光罩对所述第三多晶硅层和所述第二介质层执行刻蚀工艺以形成第一沟槽，以及对所述第三多晶硅层、所述第二介质层、所述第二多晶硅层和所述第一介质层执行刻蚀工艺以形成第二沟槽；

形成隔离层，所述隔离层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以及覆盖所述第三多晶硅层；

利用第二光罩对所述隔离层执行刻蚀工艺以形成第一插塞、第二插塞及第三插塞，所述第一插塞贯穿所述隔离层并与所述第一多晶硅层电连接；所述第二插塞贯穿所述隔离层并与所述第二多晶硅层电连接；所述第三插塞贯穿所述隔离层并与所述第三多晶硅层电连接；

其中，在不增加额外的光罩的情况下，依次堆叠的所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成第一PPS电容器；依次堆叠的所述第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层构成第二PPS电容器，所述第一PPS电容器和所述第二PPS电容器构成并联PPS电容器。

可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，在形成第一插塞、第二插塞及第三插塞之后，所述并联PPS电容器的制作方法还包括：

形成互连层，所述互连层形成于所述隔离层上，所述第一插塞、所述第二插塞和所述第三插塞分别与所述互连层电连接，且所述第一插塞、所述第二插塞和所述第三插塞相互绝缘。

可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，所述第一介质层的材质为氧化硅。

可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，通过化学气相沉积工艺形成所述第一介质层。

可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，所述第二介质层的材质为氧化硅。

可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，通过高温氧化工艺形成所述第二介质层。