[发明专利]并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器

权利要求书

1.一种并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；

利用第一光罩对所述第三多晶硅层和所述第二介质层执行刻蚀工艺以形成第一沟槽，以及对所述第三多晶硅层、所述第二介质层、所述第二多晶硅层和所述第一介质层执行刻蚀工艺以形成第二沟槽；

形成隔离层，所述隔离层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以及覆盖所述第三多晶硅层；

利用第二光罩对所述隔离层执行刻蚀工艺以形成第一插塞、第二插塞及第三插塞，所述第一插塞贯穿所述隔离层并与所述第一多晶硅层电连接；所述第二插塞贯穿所述隔离层并与所述第二多晶硅层电连接；所述第三插塞贯穿所述隔离层并与所述第三多晶硅层电连接；

其中，在不增加额外的光罩的情况下，依次堆叠的所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成第一PPS电容器；依次堆叠的所述第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层构成第二PPS电容器，所述第一PPS电容器和所述第二PPS电容器构成并联PPS电容器。

2.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，在形成第一插塞、第二插塞及第三插塞之后，所述并联PPS电容器的制作方法还包括：

形成互连层，所述互连层形成于所述隔离层上，所述第一插塞、所述第二插塞和所述第三插塞分别与所述互连层电连接，且所述第一插塞、所述第二插塞和所述第三插塞相互绝缘。

3.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为氧化硅。

4.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述第一介质层。

5.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，所述第二介质层的材质为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，通过高温氧化工艺形成所述第二介质层。

7.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，所述隔离层和所述第三多晶硅层之间还形成有氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述第三多晶硅层，所述第三插塞贯穿所述隔离层以及所述氮化硅层并与所述第三多晶硅层电连接。

8.根据权利要求7所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为

9.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为所述第一介质层的厚度为所述第二多晶硅层的厚度为所述第二介质层的厚度为所述第三多晶硅层的厚度为

10.一种并联PPS电容器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有堆叠的第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层以及第三多晶硅层，其中，所述第三多晶硅层和第二介质层中形成有第一沟槽；所述第三多晶硅层、所述第二介质层、所述第二多晶硅层和所述第一介质层中形成有第二沟槽；

隔离层，所述隔离层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以及覆盖所述第三多晶硅层；

第一插塞、第二插塞及第三插塞，所述第一插塞贯穿所述隔离层并与所述第一多晶硅层电连接；所述第二插塞贯穿所述隔离层并与所述第二多晶硅层电连接；所述第三插塞贯穿所述隔离层并与所述第三多晶硅层电连接；

其中，依次堆叠的所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成第一PPS电容器；依次堆叠的所述第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层构成第二PPS电容器，所述第一PPS电容器和所述第二PPS电容器构成并联PPS电容器。