[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201911369011.6 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111063818A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 杨林;李们在;李先杰;罗佳佳;王煦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
一种显示面板及其制备方法,其中显示面板包括依次设置的基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极,其中所述电子阻挡层对应所述有机电致发光层的绿色子像素区域采用p型绿光主体材料制备。借此,有效简化制程工艺,进而调节器件的载流子平衡,提高器件性能。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示技术领域,尤指一种显示面板及其制备方法。
背景技术
现有的平板显示器件包括液晶显示器件(LCD)、等离子体显示面板(PlasmaDisplay Panel;PDP)、有机发光二极管(OLED)等,尤其是OLED显示器件,具有低功耗、高对比度、广视角、轻薄柔性等特点,现已成为下一代主流的显示技术。OLED显示器件是主动型发光器件,包括ITO阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、金属材料构成的阴极及园覆盖层(CPL)。发光层是OLED器件中最重要部分,包括主体材料和客体材料。OLED器件中分别从阴极中注入电子和从阳极中注入空穴,并在发光层中形成电子空穴对从而复合产生激基复合物(exciton),称为激子。
为了提高OLED器件的激子利用率,即提高主体材料向客体材料的能量转移几率。目前一种红光主体材料采用一定比例的n型主体材料(n-RH)和p型主体材料(p-RH)形成共混材料(premixed material),将此共混材料注入电子和空穴会产生激基复合物(exciplex),以提高激子利用率,从而提高器件的效率和寿命。然而,这种红光共混主体材料在进行蒸镀时,n型主体材料和p型主体材料的比例会随着蒸镀时间的延长而发生变化,导致器件的效率和寿命变短。
如图1所示,现有的红光发光器件中,电子阻挡层(EBL)的最高占据分子轨道(highest occupied molecular orbit,HOMO)能级和p型主体材料(p-RH)的最高占据分子轨道(HOMO)能级匹配不良,形成对电子/空穴迁移的势垒(potential energy barrier),并造成器件性能降低。再者,电子阻挡层和发光层需要分别在两个不同的腔体中并利用至少两张精细金属掩模板(FMM)进行蒸镀,因此增加了工艺上的制程及其成本。
发明内容
本发明的目的,在于提供一种显示面板及其制备方法,仅需要同一张精细金属掩模版并在同一蒸镀腔室中进行蒸镀,有效简化制程工艺,进而调节器件的载流子平衡,提高器件性能。
为达到本发明前述目的,本发明提供一种显示面板,包括依次设置的基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极,其中所述电子阻挡层对应所述有机电致发光层的绿色子像素区域采用p型绿光主体材料制备。
优选地,所述p型绿光主体材料为2-(二苯并呋喃-3)-4-(5-(二苯并呋喃-4)-[1,1'-联苯基]-3)-6-苯基-1,3,5-三嗪或是3-(3'-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2)-[1,1'-联苯基]-3)-9-苯基-9H-咔唑。
优选地,所述空穴注入层的厚度为30-500埃米,所述空穴传输层的厚度为100-2000埃米,所述电子阻挡层的厚度为100-2000埃米,所述有机电致发光层的厚度为30-800埃米,所述空穴阻挡层的厚度为10-500埃米,所述电子传输层的厚度为50-800埃米,所述电子注入层的厚度为5-400埃米,所述第二电极的厚度为50-300埃米。
优选地,所述空穴注入层的厚度为30-500埃米,所述空穴传输层的厚度为100-2000埃米,所述p型绿光主体材料层的厚度为100-2000埃米,所述发光层层的厚度为30-800埃米,所述空穴阻挡层的厚度为10-500埃米,所述电子传输层的厚度为50-800埃米,所述电子注入层的厚度为5-400埃米,所述阴极的厚度为50-300埃米,所述覆盖层的厚度为20-2000埃米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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