[发明专利]一种带有温度补偿的欠压保护电路

说明书

本发明涉及一种带有温度补偿的欠压保护电路，包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器，二极管的正极接电源，二极管的负极接齐纳管的负极，齐纳管的正极接第一电阻，第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一MOS管和反相器构成常规的欠压保护电路，第四电阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管构成对常规欠压保护电路的温度补偿电路，第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。通过温度补偿电路对常规的欠压保护电路中的电阻和MOS管温度系数所带来的阈值变化，实现成本低，温度补偿效果明显，可极大改善温度带来的阈值点的变化。

技术领域

本发明涉及摄像模组技术领域，尤其涉及一种小型化双摄头模组。

背景技术

目前，常规的欠压保护电路结构如图1所示，其中电阻003、004和006都是相同类型的电阻，MOS管0005和012为NMOS管，007为反相器。当电源电压开始增加并超过齐纳管002的击穿电压时，电阻003、004开始分压，并在当电阻004上的电压超过MOS管005的场开启电压时，该MOS管导通，电压被拉到地电压，通过反相器007后产生高电平。而在电压下降时，MOS管012作为正反馈功能，为欠压保护提供迟滞，如图2所示。

由于该结构的欠压保护电路在不同温度和工艺影响的情况下，该种欠压保护电路的欠压保护的高/低阈值电压UVH/UVL会发生明显的偏差。主要原因是由于MOS管005的阈值电压具有负温度系数，因此，为了消除欠压保护的高/低阈值电压UVH/UVL的偏差，需要额外进行温度补偿。

发明内容

本发明的目的在于提供一种结构简单可靠、实现成本低且温度补偿效果明显的带有温度补偿的欠压保护电路。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为，一种带有温度补偿的欠压保护电路，包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器，二极管的正极接电源，二极管的负极接齐纳管的负极，齐纳管的正极接第一电阻的一端，第一电阻的另一端与第二电阻的一端串联，第二电阻的另一端接地，第三电阻的一端连接电源，另一端连接反相器的输入端，第一MOS管的栅极接在第一电阻和第二电阻之间，第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极连接反相器的输入端，第四电阻的一端接在二极管和齐纳管之间，另一端连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极接齐纳管的正极，第二MOS管的漏极接第三MOS管的漏极，第三MOS管和第四MOS管的栅极互连，第三MOS管和第四MOS管的源极接地，第三MOS管的栅极连接漏极，第四MOS管的漏极接在第一电阻和第二电阻之间，第五MOS管的源极接在第一电阻和第二电阻之间，第五MOS管的漏极接在第一电阻和齐纳管的正极之间，第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。

作为本发明的一种改进，所述第一MOS管和第二MOS管的栅源电压温度系统能够相互补偿。

作为本发明的一种改进，所述第一MOS管采用NMOS管，第二MOS管采用PMOS管。

作为本发明的一种改进， 所述第三MOS管和第四MOS管采用NMOS管。

作为本发明的一种改进， 所述第一电阻、第二电阻和第四电阻的类型保持一致。

作为本发明的一种改进，所述齐纳管的击穿电压具有正温度系数，第四电阻具有负温度系数。

作为本发明的一种改进， 所述二极管和齐纳管的温度系数可以相互补偿。

相对于现有技术，本发明的电路整体结构设计巧妙，结构合理简单，实现成本低，通过使用由第四电阻、第二至第四MOS管组成的温度补偿模块来补偿第一和第二电阻及第一和第五MOS管的温度系数所带来的欠压保护高/低阈值电压的偏差，并使用二极管来补偿齐纳管的击穿电压温度系数，温度补偿模块的结构简单，易于实现且实现成本低，其温度补偿效果明显，可极大改善电路中温度所带来的欠压保护高/低阈值电压点的变化。

附图说明