[发明专利]一种带有温度补偿的欠压保护电路在审

专利信息
申请号: 201911367952.6 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN110932229A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 罗寅;沈志伟;谭在超;丁国华;张胜 申请(专利权)人: 苏州锴威特半导体股份有限公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 叶倩
地址: 215600 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 带有 温度 补偿 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于:包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器,二极管的正极接电源,二极管的负极接齐纳管的负极,齐纳管的正极接第一电阻的一端,第一电阻的另一端与第二电阻的一端串联,第二电阻的另一端接地,第三电阻的一端连接电源,另一端连接反相器的输入端,第一MOS管的栅极接在第一电阻和第二电阻之间,第一MOS管的源极接地,第一MOS管的漏极连接反相器的输入端,第四电阻的一端接在二极管和齐纳管之间,另一端连接第二MOS管的源极,第二MOS管的栅极接齐纳管的正极,第二MOS管的漏极接第三MOS管的漏极,第三MOS管和第四MOS管的栅极互连,第三MOS管和第四MOS管的源极接地,第三MOS管的栅极连接漏极,第四MOS管的漏极接在第一电阻和第二电阻之间,第五MOS管的源极接在第一电阻和第二电阻之间,第五MOS管的漏极接在第一电阻和齐纳管的正极之间,第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。

2.如权利要求1所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管的栅源电压温度系统能够相互补偿。

3.如权利要求1或2所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述第一MOS管采用NMOS管,第二MOS管采用PMOS管。

4.如权利要求3所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述第三MOS管和第四MOS管采用NMOS管。

5.如权利要求4所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述第一电阻、第二电阻和第四电阻的类型保持一致。

6.如权利要求5所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述齐纳管的击穿电压具有正温度系数,第四电阻具有负温度系数。

7.如权利要求6所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述二极管和齐纳管的温度系数可以相互补偿。

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