[发明专利]一种带有温度补偿的欠压保护电路在审
申请号: | 201911367952.6 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN110932229A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 罗寅;沈志伟;谭在超;丁国华;张胜 | 申请(专利权)人: | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/24 | 分类号: | H02H3/24 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 叶倩 |
地址: | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 温度 补偿 保护 电路 | ||
1.一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于:包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器,二极管的正极接电源,二极管的负极接齐纳管的负极,齐纳管的正极接第一电阻的一端,第一电阻的另一端与第二电阻的一端串联,第二电阻的另一端接地,第三电阻的一端连接电源,另一端连接反相器的输入端,第一MOS管的栅极接在第一电阻和第二电阻之间,第一MOS管的源极接地,第一MOS管的漏极连接反相器的输入端,第四电阻的一端接在二极管和齐纳管之间,另一端连接第二MOS管的源极,第二MOS管的栅极接齐纳管的正极,第二MOS管的漏极接第三MOS管的漏极,第三MOS管和第四MOS管的栅极互连,第三MOS管和第四MOS管的源极接地,第三MOS管的栅极连接漏极,第四MOS管的漏极接在第一电阻和第二电阻之间,第五MOS管的源极接在第一电阻和第二电阻之间,第五MOS管的漏极接在第一电阻和齐纳管的正极之间,第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。
2.如权利要求1所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管的栅源电压温度系统能够相互补偿。
3.如权利要求1或2所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述第一MOS管采用NMOS管,第二MOS管采用PMOS管。
4.如权利要求3所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述第三MOS管和第四MOS管采用NMOS管。
5.如权利要求4所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述第一电阻、第二电阻和第四电阻的类型保持一致。
6.如权利要求5所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述齐纳管的击穿电压具有正温度系数,第四电阻具有负温度系数。
7.如权利要求6所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路,其特征在于,所述二极管和齐纳管的温度系数可以相互补偿。
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