[发明专利]用于DC/DC的有效控制EMI的驱动电路和方法

说明书

本发明揭示了一种用于DC/DC的有效控制EMI的驱动电路和方法，该有效控制EMI的驱动电路，用以在MOS管的栅源极之间产生驱动信号，MOS管栅源极之间驱动信号DRV，MOS管源极端接浮动节点SW，包括：上升沿驱动电路，在所述MOS管开启阶段，依次包括可以控制所述MOS管电流摆率的第一驱动阶段和可以控制所述浮动节点SW电压摆率的第二驱动阶段；下降沿驱动电路，在所述MOS管关断阶段，依次包括可以控制所述浮动节点SW电压摆率的第三驱动阶段和可以控制所述MOS管电流摆率的第四驱动阶段。本实施例中的功率开关NM0在开启和关断期间，电流摆率di/dt和电压摆率dv/dt均可控制，可以实现开关电源在高效率和低EMI之间的折中。

技术领域

本发明涉及一种开关电源驱动电路，具体涉及一种用于同步或异步的DC/DC的有效控制EMI的驱动电路和方法。

背景技术

传统技术中，开关电源驱动电路一般为直接驱动方式或者2段式驱动方式，但是这2种驱动方式都会产生大量的电磁干扰(EMI)。

直接驱动方式完全没有考虑肖特基的反向恢复电流以及SW电压的摆率。导致开关电源开启或者关闭瞬间，都会产生很大的电流摆率和电压摆率,产生强烈的EMI。

2段式驱动方式可以控制SW电压的上升下降摆率，但无法控制开关瞬间的电流摆率。EMI特性比直接驱动方式好一些，但EMI辐射还是比较强烈。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种用于DC/DC的有效控制EMI的驱动电路和方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于DC/DC的有效控制EMI的驱动电路和方法，以解决现有技术中会产生大量的电磁干扰(EMI)的问题。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：

一种有效控制EMI的驱动电路，用以在MOS管的栅源极之间产生驱动信号，MOS管栅源极之间驱动信号DRV，MOS管源极端接浮动节点SW，包括：

上升沿驱动电路，在所述MOS管开启阶段，依次包括可以控制所述MOS管电流摆率的第一驱动阶段和可以控制所述浮动节点SW电压摆率的第二驱动阶段；

下降沿驱动电路，在所述MOS管关断阶段，依次包括可以控制所述浮动节点SW电压摆率的第三驱动阶段和可以控制所述MOS管电流摆率的第四驱动阶段。

一实施例中，所述第一驱动阶段中，浮动节点SW电压上拉且小于0V，所述第二驱动阶段中，浮动节点SW电压上拉且大于0V；和/或

所述第三驱动阶段中，浮动节点SW电压下拉且大于0V，所述第四驱动阶段中，浮动节点SW电压下拉且小于0V。

一实施例中，所述MOS管开启阶段依次包括第一开启阶段、第二开启阶段、第三开启阶段和第四开启阶段，所述第一开启阶段用以将驱动信号上拉至MOS管的阈值附近，所述第四开启阶段用以将驱动信号上拉至电源端输入电压。

第二开启阶段的驱动信号DRV用于控制第一驱动阶段流过MOS管的电流摆率，第三开启阶段的驱动信号DRV用于控制第二驱动阶段浮动节点SW的上升摆率；和/或

所述MOS管关断阶段依次包括第一关断阶段、第二关断阶段、第三关断阶段和第四关断阶段，所述第一关断阶段用以将MOS管的栅源极之间电压下拉至MOS管的阈值附近，第二关断阶段用于控制浮动节点SW的的电压摆率；第三关断阶段用于控制流过MOS管的电流摆率。第四关断阶段用于将驱动信号DRV下拉至MOS管截止。

一实施例中，所述上升沿驱动电路包括连接于电源输入端和MOS管之间的4个第一开关管，第一开关管响应于脉冲信号的上升沿，不同的开启阶段分别对应开启一所述第一开关管；和/或