[发明专利]用于DC/DC的有效控制EMI的驱动电路和方法

权利要求书

1.一种有效控制EMI的驱动电路，用以在MOS管的栅源极之间产生驱动信号，MOS管栅源极之间驱动信号DRV，MOS管源极端接浮动节点SW，其特征在于，包括：

上升沿驱动电路，在所述MOS管开启阶段，依次包括可以控制所述MOS管电流摆率的第一驱动阶段和可以控制所述浮动节点SW电压摆率的第二驱动阶段；

下降沿驱动电路，在所述MOS管关断阶段，依次包括可以控制所述浮动节点SW电压摆率的第三驱动阶段和可以控制所述MOS管电流摆率的第四驱动阶段，

所述MOS管开启阶段依次包括第一开启阶段、第二开启阶段、第三开启阶段和第四开启阶段，所述第一开启阶段用以将驱动信号上拉至MOS管的阈值附近，所述第四开启阶段用以将驱动信号上拉至电源端输入电压，

第二开启阶段的驱动信号DRV用于控制第一驱动阶段流过MOS管的电流摆率，第三开启阶段的驱动信号DRV用于控制第二驱动阶段浮动节点SW的上升摆率；和/或

所述MOS管关断阶段依次包括第一关断阶段、第二关断阶段、第三关断阶段和第四关断阶段，所述第一关断阶段用以将MOS管的栅源极之间电压下拉至MOS管的阈值附近，第二关断阶段用于控制浮动节点SW的的电压摆率，第三关断阶段用于控制流过MOS管的电流摆率，第四关断阶段用于将驱动信号DRV下拉至MOS管截止。

2.根据权利要求1所述的有效控制EMI的驱动电路，其特征在于，所述第一驱动阶段中，浮动节点SW电压上拉且小于0V，所述第二驱动阶段中，浮动节点SW电压上拉且大于0V；和/或

所述第三驱动阶段中，浮动节点SW电压下拉且大于0V，所述第四驱动阶段中，浮动节点SW电压下拉且小于0V。

3.根据权利要求1所述的有效控制EMI的驱动电路，其特征在于，所述上升沿驱动电路包括连接于电源输入端和MOS管之间的4个第一开关管，第一开关管响应于脉冲信号的上升沿，不同的开启阶段分别对应开启一所述第一开关管；和/或

所述下降沿驱动电路包括连接于电源输入端和MOS管之间的4个第二开关管，第二开关管响应于脉冲信号的下降沿，不同的关断阶段分别对应开启一所述第二开关管。

4.根据权利要求3所述的有效控制EMI的驱动电路，其特征在于，所述第一开关管为PMOS管，所述PMOS管的源极关联至电源输入端，漏极关联至MOS管的栅极；和/或

所述第二开关管为NMOS管，所述NMOS管的源极关联至与电源输入端位于同一电源域的地端，漏极关联至MOS管的栅极。

5.一种用于DC/DC的有效控制EMI的驱动电路，其特征在于，包括：

DC/DC Buck型降压开关电源电路；

权利要求1至4任一所述的驱动电路，驱动所述开关电源电路。

6.一种有效控制开关管EMI的驱动方法，用以在MOS管的栅源极之间产生驱动信号，MOS管栅源极之间驱动信号DRV，MOS管源极端接浮动节点SW，其特征在于，包括：

上升沿驱动电路，在所述MOS管开启阶段，依次包括可以控制所述MOS管电流摆率的第一驱动阶段和可以控制所述浮动节点SW电压摆率的第二驱动阶段；

下降沿驱动电路，在所述MOS管关断阶段，依次包括可以控制所述浮动节点SW电压摆率的第三驱动阶段和可以控制所述MOS管电流摆率的第四驱动阶段，

所述MOS管开启阶段依次包括第一开启阶段、第二开启阶段、第三开启阶段和第四开启阶段，所述第一开启阶段用以将驱动信号上拉至MOS管的阈值附近，所述第四开启阶段用以将驱动信号上拉至电源端输入电压，

第二开启阶段的驱动信号DRV用于控制第一驱动阶段流过MOS管的电流摆率，第三开启阶段的驱动信号DRV用于控制第二驱动阶段浮动节点SW的上升摆率；和/或

所述MOS管关断阶段依次包括第一关断阶段、第二关断阶段、第三关断阶段和第四关断阶段，所述第一关断阶段用以将MOS管的栅源极之间电压下拉至MOS管的阈值附近，第二关断阶段用于控制浮动节点SW的的电压摆率，第三关断阶段用于控制流过MOS管的电流摆率，第四关断阶段用于将驱动信号DRV下拉至MOS管截止。