[发明专利]一种TVS芯片新型扩散工艺

说明书

本发明公开了一种TVS芯片新型扩散工艺，属于芯片扩散技术领域。包括以下步骤：硅片清洗后进行氧化，使其表面增加氧化膜；采用光刻的方式将需要扩散的区域氧化膜去除；在去掉氧化膜区域附上扩散源，扩散形成第一个PN结；去除扩散后硅片前期未扩散区域表面的氧化膜；在前期未扩散区域表面附上扩散源，进行二次扩散形成第二个PN结；本发明通过二次扩散，形成内外两个PN结，其外层PN结形成了保护结构，内层的PN结实现电路瞬态抑制，提高了芯片的可靠性。

技术领域

本发明属于芯片扩散技术领域，具体涉及一种TVS芯片新型扩散工艺。

背景技术

目前的半导体功率器件TVS芯片采用的是传统的磷硼扩散工艺，当电阻率过低时，漏电流会过大，当增加电阻率时，VC能力又会不足。

发明内容

针对现有技术中缺陷与不足的问题，本发明提出了一种TVS芯片新型扩散工艺，通过二次扩散，形成内外两个PN结，其外层PN结形成了保护结构，内层的PN结实现电路瞬态抑制，提高了芯片的可靠性。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案为：

一种TVS芯片新型扩散工艺, 包括如下步骤：

a.硅片清洗后进行氧化，使其表面增加氧化膜；

b.采用光刻的方式将需要扩散的区域氧化膜去除；

c.在去掉氧化膜区域附上扩散源，扩散形成第一个PN结；

d.去除扩散后硅片前期未扩散区域表面的氧化膜；

e.在前期未扩散区域表面附上扩散源，进行二次扩散形成第二个PN结。

进一步的，所述氧化膜为二氧化硅膜。

进一步的，所述扩散源为硼液态源。

本发明具有如下有益效果：通过二次扩散，形成内外两个PN结，其外层PN结形成了保护结构，内层的PN结实现电路瞬态抑制，提高了芯片的可靠性。本发明采用新的扩散方式，即能增加电阻分布，降低漏电流分布，又可以将自身增加钝化保护，提升VC能力。

附图说明

图1为本发明工艺流程示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的具体实施方式进行详细说明。

实施例一：

一种TVS芯片新型扩散工艺, 包括如下步骤：

a.硅片清洗后进行氧化，使其表面增加氧化膜；

b.采用光刻的方式将需要扩散的区域氧化膜去除；

c.在去掉氧化膜区域附上扩散源，扩散形成第一个PN结；

d.去除扩散后硅片前期未扩散区域表面的氧化膜；

e.在前期未扩散区域表面附上扩散源，进行二次扩散形成第二个PN结。

进一步的，所述氧化膜为二氧化硅膜。

进一步的，所述扩散源为硼液态源。

本发明通过二次扩散，形成内外两个PN结，其外层PN结形成了保护结构，内层的PN结实现电路瞬态抑制，提高了芯片的可靠性。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。