[发明专利]一种TVS芯片新型扩散工艺在审
| 申请号： | 201911364166.0 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111128698A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;李建利;汪曦凌 | 申请（专利权）人： | 安徽芯旭半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 陈国俊 |
| 地址： | 247100 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tvs 芯片 新型 扩散 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种TVS芯片新型扩散工艺，其特征在于包括如下步骤：
a.硅片清洗后进行氧化，使其表面增加氧化膜；
b.采用光刻的方式将需要扩散的区域氧化膜去除；
c.在去掉氧化膜区域附上扩散源，扩散形成第一个PN结；
d.去除扩散后硅片前期未扩散区域表面的氧化膜；
e.在前期未扩散区域表面附上扩散源，进行二次扩散形成第二个PN结。
2.如权利要求1所述的一种TVS芯片新型扩散工艺，其特征在于：所述氧化膜为二氧化硅膜。
3.如权利要求1所述的一种TVS芯片新型扩散工艺，其特征在于：所述扩散源为硼液态源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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