[发明专利]写操作不需要位线辅助的SRAM单元读写操作方法

说明书

本发明公开了一种写操作不需要位线辅助的SRAM单元读写操作方法，对数据锁存器写0时，第一字线控制第一传输管导通，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第三传输管导通；对数据锁存器写1时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管导通，第三字线控制第三传输管导通；读取数据锁存器中的数据时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第四传输管导通，且位线初始设置为高电平。本发明对数据锁存器进行写操作时，可不需要位线的辅助。

技术领域

本发明涉及一种SRAM单元的读写操作方法。

背景技术

存储单元（即SRAM单元）是SRAM存储器中最基本、最重要的组成部分，占据了整个SRAM存储器面积的大部分。

SRAM单元一般包括数据锁存器，该数据锁存器包括存储数据反向的第一存储节点和第二存储节点。若第一存储节点为低电平，第二存储节点为高电平，则数据锁存器中存储的是0；若第一存储节点为高电平，第二存储节点为低电平，则数据锁存器中存储的是1。

现有的SRAM单元，在对数据锁存器进行写操作时，需要位线的辅助，而对数据锁存器进行读操作时，也需要通过位线输出数据，故与位线相关的设计既需要考虑写操作，又需要考虑读操作，这增加了SRAM单元的复杂程度和设计难度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种SRAM单元的读写操作方法，对数据锁存器进行写操作时，可不需要位线的辅助。

为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种SRAM单元的读写操作方法，所述SRAM单元包括：数据锁存器、第一传输管、第二传输管、第三传输管、第四传输管、第五传输管、第一字线、第二字线、第三字线和位线；数据锁存器包括存储数据反向的第一存储节点和第二存储节点；第一存储节点依次通过第一传输管和第三传输管后接地，第二存储节点依次通过第二传输管和第三传输管后接地，位线依次通过第四传输管和第五传输管后接地，第一传输管由第一字线控制导通或关断，第二传输管由第二字线控制导通或关断，第三传输管和第四传输管由第三字线控制导通或关断，第五传输管由第二存储节点控制导通或关断；第二存储节点为高电平时，第五传输管导通；第二存储节点为底电平时，第五传输管关断；

对数据锁存器写0时，第一字线控制第一传输管导通，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第三传输管导通，可使第一存储节点通过第一传输管和第三传输管与地导通，而第二存储节点与地断开，即可使第一存储节点被设为低电平，并使第二存储节点被设为高电平，从而完成对数据锁存器写0；

对数据锁存器写1时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管导通，第三字线控制第三传输管导通，可使第二存储节点通过第二传输管和第三传输管与地导通，而第一存储节点与地断开，即可使第二存储节点被设为低电平，并使第一存储节点被设为高电平，从而完成对数据锁存器写1；

读取数据锁存器中的数据时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第四传输管导通，且位线初始设置为高电平；若此时数据锁存器中存储的是0，即第一存储节点为低电平，第二存储节点为高电平，则第五传输管导通，位线通过第四传输管和第五传输管与地导通，即可使位线被设为低电平，以位线输出低电平为数据锁存器中存储的是0；若此时数据锁存器中存储的是1，即第一存储节点为高电平，第二存储节点为低电平，则第五传输管关断，即位线与地断开，位线保持高电平，以位线保持高电平为数据锁存器中存储的是1。

优选的，所述第一字线为高电平时，第一传输管导通；第一字线为底电平时，第一传输管关断。

优选的，所述第二字线为高电平时，第二传输管导通；第二字线为底电平时，第二传输管关断。

优选的，所述第三字线为高电平时，第三传输管和第四传输管导通；第三字线为底电平时，第三传输管和第四传输管关断。