[发明专利]写操作不需要位线辅助的SRAM单元读写操作方法

权利要求书

1.写操作不需要位线辅助的SRAM单元读写操作方法，其特征在于：

所述SRAM单元包括：数据锁存器、第一传输管、第二传输管、第三传输管、第四传输管、第五传输管、第一字线、第二字线、第三字线和位线；数据锁存器包括存储数据反向的第一存储节点和第二存储节点；第一存储节点依次通过第一传输管和第三传输管后接地，第二存储节点依次通过第二传输管和第三传输管后接地，位线依次通过第四传输管和第五传输管后接地，第一传输管由第一字线控制导通或关断，第二传输管由第二字线控制导通或关断，第三传输管和第四传输管由第三字线控制导通或关断，第五传输管由第二存储节点控制导通或关断；第二存储节点为高电平时，第五传输管导通；第二存储节点为底电平时，第五传输管关断；

对数据锁存器写0时，第一字线控制第一传输管导通，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第三传输管导通，可使第一存储节点通过第一传输管和第三传输管与地导通，而第二存储节点与地断开，即可使第一存储节点被设为低电平，并使第二存储节点被设为高电平，从而完成对数据锁存器写0；

对数据锁存器写1时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管导通，第三字线控制第三传输管导通，可使第二存储节点通过第二传输管和第三传输管与地导通，而第一存储节点与地断开，即可使第二存储节点被设为低电平，并使第一存储节点被设为高电平，从而完成对数据锁存器写1；

读取数据锁存器中的数据时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第四传输管导通，且位线初始设置为高电平；若此时数据锁存器中存储的是0，即第一存储节点为低电平，第二存储节点为高电平，则第五传输管导通，位线通过第四传输管和第五传输管与地导通，即可使位线被设为低电平，以位线输出低电平为数据锁存器中存储的是0；若此时数据锁存器中存储的是1，即第一存储节点为高电平，第二存储节点为低电平，则第五传输管关断，即位线与地断开，位线保持高电平，以位线保持高电平为数据锁存器中存储的是1。

2.根据权利要求1所述的SRAM单元读写操作方法，其特征在于，所述第一字线为高电平时，第一传输管导通；第一字线为底电平时，第一传输管关断。

3.根据权利要求2所述的SRAM单元读写操作方法，其特征在于，所述第二字线为高电平时，第二传输管导通；第二字线为底电平时，第二传输管关断。

4.根据权利要求3所述的SRAM单元读写操作方法，其特征在于，所述第三字线为高电平时，第三传输管和第四传输管导通；第三字线为底电平时，第三传输管和第四传输管关断。

5.根据权利要求4所述的SRAM单元读写操作方法，其特征在于，所述第一传输管、第二传输管、第三传输管、第四传输管和第五传输管都为NMOS管；第一传输管的漏极与第一存储节点连接，第一传输管的栅极与第一字线连接；第二传输管的漏极与第二存储节点连接，第二传输管的栅极与第二字线连接；第一传输管、第二传输管的源极都与第三传输管的漏极连接，第三传输管的栅极与第三字线连接，第三传输管的源极接地；第四传输管的源极与位线连接，第四传输管的栅极与第三字线连接，第四传输管的漏极与第五传输管的源极连接；第五传输管的栅极与第二存储节点连接，第五传输管的漏极接地。