[发明专利]基于有机薄膜晶体管的电流型像素驱动电路在审
| 申请号: | 201911358774.0 | 申请日: | 2019-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN111029395A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 周佳燚;胡文平;任晓辰 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王海滨 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 有机 薄膜晶体管 电流 像素 驱动 电路 | ||
本发明公开了一种基于有机薄膜晶体管的电流型像素驱动电路,其采用4个机薄膜晶体管驱动OLED,通过补偿机薄膜晶体管的阈值电压来提高图像的质量。基于机薄膜晶体管的特殊性质,采用全新的电路设计结构,在对阈值电压进行补偿的基础上还有效的防止了机薄膜晶体管漏电对像素电路电流均匀性造成的影响。
技术领域
本发明属于电子电路技术和显示技术领域,具体涉及一种基于有机薄膜晶体管的电流型像素驱动电路。
背景技术
近年来,有源矩阵有机发光二极管(Actire Matrix Organic Light EmittingDiode,AMOLED)显示被人们广泛研究。.与有源矩阵液晶显示(Active Matrix LiquidCrystal Display。AMLCD)相比,AMOLED因具有广视角、快响应、高亮度、低功耗、柔性等优点而被人们认为是新一代的显示。现在,三星等公司更是将AMOLED用于一些手机屏幕中。OLED是一种电流发光型器件,需要稳定、统一的电流为其驱动而发光。然而,由于技术闯题,现今的有机薄膜晶体管很难为OLED提供稳定、统一的电流。而且偏压下的有机薄膜晶体管的阈值电压(Threshold Voltage,VTH)漂移现象严重,所以要重新设计一个针对有机薄膜晶体管性质的像素补偿电路。然而,电路大多结构复杂,有多个编程操作过程,并引入了额外的控制信号。这就导致周围的驱动电路设计更加复杂,像素的开口率降低;同时,每个像素被选通的时间内,随着编程过程的增多,每个编程操作的时间和精确性都会降低。这就要求有简单的,类似于传统2TIC结构而又带有补偿作用的像素驱动电路。本专利提出了一种新的采用电流驱动型的像素电路,可以有效解决上面的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种基于有机薄膜晶体管的电流型像素驱动电路。用4个OTFT驱动OLED,通过补偿OTFT的阈值电压来提高图像的质量。基于OTFT的特殊性质,采用全新的电路设计结构,在对阈值电压进行补偿的基础上还有效的防止了OTFT漏电对像素电路电流均匀性造成的影响。
本发明还提供了一种驱动OLED实现阈值电压补偿电路的驱动方法,该方法可以准确的对电路的阈值电压进行补偿。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种基于OTFT的阈值电压补偿的电流型像素电路,包括:第一有机薄膜晶体管T1,第二有机薄膜晶体管T2,第三有机薄膜晶体管T3,第四有机薄膜晶体管T4,电容Cs以及有机发光二极管OLED;第一有机薄膜晶体管T1为电路的驱动晶体管,其源极与电源电压VDD相连,栅极连接电容Cs的一端,电容Cs另一端接地,漏极与第四有机薄膜晶体管T4的源极相连;第二有机薄膜晶体管T2的栅极与第一扫描控制线SCAN1连接,源极与列信号数据电流IDATA连接,漏极连接电源电压VDD;第三有机薄膜晶体管T3的栅极与第一扫描控制线SCAN1连接,漏极与电容Cs的一端以及第一有机薄膜晶体管T1的栅极相连,源极与第二有机薄膜晶体管T2的漏极连接;第四有机薄膜晶体管T4的栅极与第二扫描控制线SCAN2相连,源极与第一有机薄膜晶体管T1的漏极相连,漏极与有机发光二极管OLED的阳极相连。
所述的基于OTFT的阈值电压补偿的电流型像素电路的驱动方法:
当第一扫描控制线SCAN1为低电平时,第二有机薄膜晶体管T2和第三有机薄膜晶体管T3打开,此时列信号数据电流IDATA通过第二有机薄膜晶体管T2和第三有机薄膜晶体管T3为电容Cs充电直到第一有机薄膜晶体管T1开启;为保证列信号数据电流IDATA只流过第一有机薄膜晶体T1,电源电压VDD需在此阶段维持低电平使有机发光二极管OLED处于反偏状态;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





