[发明专利]基于有机薄膜晶体管的电流型像素驱动电路在审
| 申请号: | 201911358774.0 | 申请日: | 2019-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN111029395A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 周佳燚;胡文平;任晓辰 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王海滨 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 有机 薄膜晶体管 电流 像素 驱动 电路 | ||
1.一种基于OTFT的阈值电压补偿的电流型像素电路,其特征在于:包括:第一有机薄膜晶体管T1,第二有机薄膜晶体管T2,第三有机薄膜晶体管T3,第四有机薄膜晶体管T4,电容Cs以及有机发光二极管OLED;第一有机薄膜晶体管T1为电路的驱动晶体管,其源极与电源电压VDD相连,栅极连接电容Cs的一端,电容Cs另一端接地,漏极与第四有机薄膜晶体管T4的源极相连;第二有机薄膜晶体管T2的栅极与第一扫描控制线SCAN1连接,源极与列信号数据电流IDATA连接,漏极连接电源电压VDD;第三有机薄膜晶体管T3的栅极与第一扫描控制线SCAN1连接,漏极与电容Cs的一端以及第一有机薄膜晶体管T1的栅极相连,源极与第二有机薄膜晶体管T2的漏极连接;第四有机薄膜晶体管T4的栅极与第二扫描控制线SCAN2相连,源极与第一有机薄膜晶体管T1的漏极相连,漏极与有机发光二极管OLED的阳极相连。
2.根据权利要求1所述的基于OTFT的阈值电压补偿的电流型像素电路的驱动方法,其特征在于:
当第一扫描控制线SCAN1为低电平时,第二有机薄膜晶体管T2和第三有机薄膜晶体管T3打开,此时列信号数据电流IDATA通过第二有机薄膜晶体管T2和第三有机薄膜晶体管T3为电容Cs充电直到第一有机薄膜晶体管T1开启;为保证列信号数据电流IDATA只流过第一有机薄膜晶体T1,电源电压VDD需在此阶段维持低电平使有机发光二极管OLED处于反偏状态;
随着电容Cs上电位的提高,第一有机薄膜晶体管T1电流逐渐增大,直到列信号数据电流IDATA全部流过第一有机薄膜晶体管T1时稳定,此时的第一有机薄膜晶体管T1电流为:IT1=IDATA=K(VGS-VTH)2,其中K为第一有机薄膜晶体管Tl的增益系数,VGS为第一有机薄膜晶体管Tl的栅源电压,VTH为第一有机薄膜晶体管Tl的阈值电压;由于电容Cs上的电压没有变化,工作在饱和区的第一有机薄膜晶体管T1电流只与其栅电压有关,因而也不会变化,即:IT1=IOLED=IDATA,有机发光二极管OLED的电流等于列信号数据电流IDATA,这样,即使有机薄膜晶体管的阈值电压不均匀,也不会影响OLED的电流,从而达到补偿阈值电压的效果。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911358774.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





