[发明专利]集成芯片及其制造方法、全彩集成芯片和显示面板

权利要求书

1.一种集成芯片的制作方法，用于成型加工集成芯片的电极结构，其特征在于，包括：

步骤S1，制作发光部，并使所述发光部包括以矩阵形式分布的n×m个发光单元组，其中，n为行数，m为列数，且n和m均为大于或等于1的正整数，各所述发光单元组包括以矩阵形式分布的x×y个发光单元，其中，x为行数，y为列数，且x和y均为大于或等于1的正整数，所述发光单元包括a极电极和b极电极；将同一列发光单元组的同一列发光单元的a极电极分别电连接在一起，以形成m×y个第一电极，将同一行发光单元组的同一行发光单元的b极电极分别电连接，以形成n×x个第二电极；

步骤S2，将m×y个所述第一电极和n×x个所述第二电极分别电性引出导电端，以形成m×y个第一引脚电极和n×x个第二引脚电极，所述第一引脚电极和所述第二引脚电极用于与电路基板电性连接。

2.根据权利要求1所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，

使用蒸镀或沉积的方式将同一列所述发光单元组的同一列所述发光单元的a极电极分别电连接，以形成m×y个第一电极，

使用蒸镀或沉积的方式将同一行所述发光单元组的同一行所述发光单元的b极电极分别电连接，以形成n×x个第二电极。

3.根据权利要求1所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21，将m×y个所述第一电极分别向所述集成芯片的四周边缘电性引出导电端，以形成m×y个所述第一引脚电极；

步骤S22，将n×x个所述第二电极分别向所述集成芯片的四周边缘电性引出导电端，以形成n×x个第二引脚电极；

并使m×y个所述第一引脚电极和n×x个所述第二引脚电极绕所述集成芯片的边缘依次间隔分布。

4.根据权利要求3所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤S22中，将m和n均设置为2，x设置为3，y设置为1，将两个所述第一电极和六个所述第二电极向所述集成芯片的四周边缘引出导电端以形成所述两个所述第一引脚电极和六个所述第二引脚电极。

5.根据权利要求1所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述发光部的所述第一电极和所述第二电极所在的表面上沉积或蒸镀N层绝缘保护层；以及依次在远离所述第一电极和所述第二电极的所述绝缘保护层表面上利用蒸镀或沉积的方法设置金属线路层，形成N层金属线路层；所述第一电极、所述第二电极和N层所述金属线路层通过所述绝缘保护层上的金属过孔电连接，其中，N为大于或等于2的正整数。

6.根据权利要求5所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，第N层所述金属线路层上远离所述绝缘保护层的一侧设有绝缘层，所述绝缘层覆盖第N层所述金属线路层上的金属走线和金属过孔。

7.根据权利要求5所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，第N层所述金属线路层包括m×y个所述第一引脚电极和n×x个所述第二引脚电极。

8.根据权利要求5所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，与第N层所述金属线路层接触的所述绝缘保护层上设置有用于识别所述第一引脚电极的极性或所述第二引脚电极的极性的识别标记。

9.根据权利要求5所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，所述绝缘保护层为二氧化硅层或氮化硅层。

10.根据权利要求5所述的集成芯片的制作方法，其特征在于，所述绝缘保护层通过印刷、沉积或蒸镀形成。

11.一种集成芯片，其特征在于，由权利要求1至10中任一项所述的集成芯片的制作方法制造而成。