[发明专利]一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置

说明书

本发明提供一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置，该晶圆清洗方法包括：使用固定管路向晶圆表面输送第一清洗介质；在使用所述固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质第一预设时间后，同时使用可移动管路向所述晶圆表面输送第二清洗介质；在使用所述可移动管路向所述晶圆表面输送所述第二清洗介质第二预设时间后，停止使用所述固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质，并继续使用所述可移动管路向所述晶圆表面输送所述第二清洗介质第三预设时间。通过本发明，可使可移动管路对晶圆待清洗表面进行全覆盖清洗，改善了清洗效果，同时提高了清洗效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置。

背景技术

目前，随着晶圆制造技术的发展，清洗工序执行次数逐渐增多，在14nm技术上，清洗工序占到了所有制程工序的一半左右。清洗工艺越来越重要，晶圆制造对清洗工序的要求也越来越苛刻，如何有效的去除细微颗粒和残留考验着半导体人的意志和智慧。

针对金属层间的互连工艺，清洗机台包括：电器控制单元、设备前端控制模块、药液供给单元、工艺腔室；电器控制单元实现机台逻辑控制，药液供给单元实现药液配比和供给，设备前端控制模块实现晶圆传送，工艺腔室用于完成清洗工艺。工艺腔室如图1所示，晶圆1’由夹持机构2’夹持或释放，夹持机构2’随旋转电机3’以一定速度和加速度旋转或升降，药液管路绑缚在机械摆臂4’上，实现对晶圆不同位置的清洗。不同清洗药液通常对应不同的机械摆臂4’和不同的工艺高度，在连续的工艺菜单中，不同机械摆臂4’的衔接通常为前一个机械摆臂4’移出晶圆上方到一个安全位置，晶圆夹持机构2’或者药液回收排放层高度调整，后一个机械摆臂4’摆入到晶圆上方的合适位置。无论是机械摆臂4’的移动还是晶圆的夹持机构2’的升降，都需要一定的执行时间，造成清洗的不连续，导致清洗效率下降，另一方面由于晶圆在清洗时一直在旋转，清洗药液的中断时间过长造成晶圆表面变干容易衍生其他污染，导致清洗质量下降。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置。

为实现本发明的目的而提供一种晶圆清洗方法，包括：

使用固定管路向晶圆表面输送第一清洗介质；

在使用所述固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质第一预设时间后，同时使用可移动管路向所述晶圆表面输送第二清洗介质；

在使用所述可移动管路向所述晶圆表面输送所述第二清洗介质第二预设时间后，停止使用所述固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质，并继续使用所述可移动管路向所述晶圆表面输送所述第二清洗介质第三预设时间。

优选地，所述第一清洗介质为热硫酸和双氧水的混合液、去离子水或超纯水；

所述第二清洗介质为去离子水或超纯水。

优选地，所述第一清洗介质为清洗液体和清洗气体的混合体；

所述第二清洗介质为所述清洗液体。

优选地，所述清洗液体为离子水或超纯水；

所述清洗气体为臭氧、二氧化碳、氮气或者氢气。

优选地，所述第一预设时间为5～20s；

所述第二预设时间为1～5s；和/或

所述第三预设时间为10～59s。

优选地，上述晶圆清洗方法还包括：

设置所述第一预设时间、所述第二预设时间和/或所述第三预设时间；

判断设置的所述第一预设时间、所述第二预设时间和/或所述第三预设时间是否会导致管路干涉或管路与所述晶圆发生碰撞，并在判断结果为是时，显示提示信息。