[发明专利]一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置在审
申请号: | 201911353809.1 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111009458A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 惠世鹏;张凇铭 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 方法 装置 | ||
1.一种晶圆清洗方法,其特征在于,包括:
使用固定管路向晶圆表面输送第一清洗介质;
在使用所述固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质第一预设时间后,同时使用可移动管路向所述晶圆表面输送第二清洗介质;
在使用所述可移动管路向所述晶圆表面输送所述第二清洗介质第二预设时间后,停止使用所述固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质,并继续使用所述可移动管路向所述晶圆表面输送所述第二清洗介质第三预设时间。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,
所述第一清洗介质为热硫酸和双氧水的混合液、去离子水或超纯水;
所述第二清洗介质为去离子水或超纯水。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,
所述第一清洗介质为清洗液体和清洗气体的混合体;
所述第二清洗介质为所述清洗液体。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法,其特征在于,
所述清洗液体为离子水或超纯水;
所述清洗气体为臭氧、二氧化碳、氮气或者氢气。
5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆清洗方法,其特征在于,
所述第一预设时间为5~20s;
所述第二预设时间为1~5s;和/或
所述第三预设时间为10~59s。
6.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆清洗方法,其特征在于,还包括:
设置所述第一预设时间、所述第二预设时间和/或所述第三预设时间;
判断设置的所述第一预设时间、所述第二预设时间和/或所述第三预设时间是否会导致管路干涉或管路与所述晶圆发生碰撞,并在判断结果为是时,显示提示信息。
7.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括:
晶圆夹持部,用于夹持晶圆;
固定管路,用于向晶圆表面输送第一清洗介质;
可移动管路,用于向所述晶圆表面输送第二清洗介质;
控制器,用于控制所固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质,并在控制所述固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质第一预设时间后,同时控制可移动管路向所述晶圆表面输送第二清洗介质;在控制所述可移动管路向所述晶圆表面输送所述第二清洗介质第二预设时间后,控制所述固定管路停止向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质,并继续控制所述可移动管路向所述晶圆表面输送所述第二清洗介质第三预设时间。
8.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述控制器还用于响应于用户的输入或读取特定的配置文件,设置第一预设时间、所述第二预设时间和/或所述第三预设时间。
9.根据权利要求7或8所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述控制器还用于判断设置的第一预设时间、所述第二预设时间和/或所述第三预设时间是否会导致管路干涉或管路与所述晶圆发生碰撞,并在判断结果为是时,显示提示信息。
10.根据权利要求7或8所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括:可移动的摆臂,所述可移动管路设置在所述摆臂上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造