[发明专利]包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件

说明书

本发明涉及一种包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件。该三维闪存器件包括：下部字线堆叠和上部字线堆叠；单元沟道结构；以及虚设沟道结构，其中单元沟道结构包括：下部单元沟道结构；上部单元沟道结构；以及单元沟道扩大部分，其在下部单元沟道结构和上部单元沟道结构之间并具有比下部单元沟道结构的宽度大的宽度，其中虚设沟道结构包括：下部虚设沟道结构；上部虚设沟道结构；以及在下部虚设沟道结构和上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分，虚设沟道扩大部分具有比下部虚设沟道结构的宽度大的宽度，其中虚设沟道扩大部分的宽度和下部虚设沟道结构的宽度之间的差异大于单元沟道扩大部分的宽度和下部单元沟道结构的宽度之间的差异。

技术领域

实施方式涉及包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件。

背景技术

随着三维闪存器件的集成度提高，已经考虑了通过堆叠两个单位存储器件来形成一个三维闪存器件的技术。

发明内容

实施方式可以通过提供一种具有单元区域和延伸区域的三维闪存器件来实现，该三维闪存器件包括：衬底；在衬底上的下部字线堆叠和上部字线堆叠；在下部字线堆叠和上部字线堆叠之间的层间电介质层；在单元区域中的单元沟道结构；以及在延伸区域中的虚设沟道结构，其中单元沟道结构包括穿透下部字线堆叠并连接到衬底的下部单元沟道结构、穿透上部字线堆叠的上部单元沟道结构以及在下部单元沟道结构和上部单元沟道结构之间的单元沟道扩大部分，单元沟道扩大部分具有比下部单元沟道结构的水平宽度大的水平宽度，其中虚设沟道结构包括穿透下部字线堆叠并连接到衬底的下部虚设沟道结构、穿透上部字线堆叠的上部虚设沟道结构以及在下部虚设沟道结构和上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分，虚设沟道扩大部分具有比下部虚设沟道结构的水平宽度大的水平宽度，其中虚设沟道扩大部分的水平宽度和下部虚设沟道结构的水平宽度之间的差异大于单元沟道扩大部分的水平宽度和下部单元沟道结构的水平宽度之间的差异。

实施方式可以通过提供一种具有单元区域和延伸区域的三维闪存器件来实现，该三维闪存器件包括：衬底；在衬底上的下部字线堆叠和上部字线堆叠；在下部字线堆叠和上部字线堆叠之间的中间层间电介质层；在单元区域中的单元沟道结构；以及在延伸区域中的虚设沟道结构，其中单元沟道结构包括穿透下部字线堆叠并连接到衬底的下部单元沟道结构、穿透上部字线堆叠的上部单元沟道结构以及在下部单元沟道结构和上部单元沟道结构之间的单元沟道扩大部分，其中虚设沟道结构包括穿透下部字线堆叠并连接到衬底的下部虚设沟道结构、穿透上部字线堆叠的上部虚设沟道结构以及在下部虚设沟道结构和上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分，其中虚设沟道扩大部分的底表面处于比中间层间电介质层的底表面低的水平处。

实施方式可以通过提供一种具有单元区域和延伸区域的三维闪存器件来实现，该三维闪存器件包括：衬底；在衬底上并包括多个堆叠的下部字线的下部字线堆叠；在衬底上并包括多个堆叠的上部字线的上部字线堆叠；在下部字线堆叠和上部字线堆叠之间的中间层间电介质层；在单元区域中的单元沟道结构；以及在延伸区域中的虚设沟道结构和垂直接触结构，其中单元沟道结构包括穿透下部字线堆叠并连接到衬底的下部单元沟道结构、穿透上部字线堆叠的上部单元沟道结构以及在下部单元沟道结构和上部单元沟道结构之间的单元沟道扩大部分，虚设沟道结构包括穿透下部字线堆叠并连接到衬底的下部虚设沟道结构、穿透上部字线堆叠的上部虚设沟道结构以及在下部虚设沟道结构和上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分，垂直接触结构连接到下部字线堆叠的一个下部字线或上部字线堆叠的一个上部字线，下部虚设沟道结构的水平宽度大于下部单元沟道结构的水平宽度，虚设沟道扩大部分的水平宽度大于单元沟道扩大部分的水平宽度，虚设沟道扩大部分的底表面处于比中间层间电介质层的底表面低的水平处，虚设沟道扩大部分的侧表面和单元沟道扩大部分的侧表面被圆化。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将是明显的，附图中：

图1A示出了根据本公开的一实施方式的三维闪存器件100A的示意性剖视图，图1B示出了图1A的一部分的放大视图。