[发明专利]包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件

权利要求书

1.一种三维闪存器件，具有单元区域和延伸区域，该三维闪存器件包括：

衬底；

在所述衬底上的下部字线堆叠和上部字线堆叠；

在所述下部字线堆叠和所述上部字线堆叠之间的层间电介质层；

在所述单元区域中的单元沟道结构；以及

在所述延伸区域中的虚设沟道结构，

其中所述单元沟道结构包括：

穿透所述下部字线堆叠并且连接到所述衬底的下部单元沟道结构；

穿透所述上部字线堆叠的上部单元沟道结构；和

在所述下部单元沟道结构和所述上部单元沟道结构之间的单元沟道扩大部分，所述单元沟道扩大部分具有比所述下部单元沟道结构的水平宽度大的水平宽度，

其中所述虚设沟道结构包括：

穿透所述下部字线堆叠并且连接到所述衬底的下部虚设沟道结构；

穿透所述上部字线堆叠的上部虚设沟道结构；和

在所述下部虚设沟道结构和所述上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分，所述虚设沟道扩大部分具有比所述下部虚设沟道结构的水平宽度大的水平宽度；

其中所述虚设沟道扩大部分的所述水平宽度和所述下部虚设沟道结构的所述水平宽度之间的差异大于所述单元沟道扩大部分的所述水平宽度和所述下部单元沟道结构的所述水平宽度之间的差异。

2.如权利要求1所述的三维闪存器件，其中所述下部虚设沟道结构的所述水平宽度大于所述下部单元沟道结构的所述水平宽度。

3.如权利要求1所述的三维闪存器件，其中所述虚设沟道扩大部分的所述水平宽度大于所述单元沟道扩大部分的所述水平宽度。

4.如权利要求1所述的三维闪存器件，其中所述虚设沟道扩大部分的垂直厚度大于所述单元沟道扩大部分的垂直厚度。

5.如权利要求1所述的三维闪存器件，其中所述虚设沟道扩大部分的底表面处于比所述单元沟道扩大部分的底表面低的水平处。

6.如权利要求1所述的三维闪存器件，其中所述层间电介质层包括：

覆盖所述下部字线堆叠的下部层间电介质层；

在所述下部层间电介质层上的中间层间电介质层；以及

在所述中间层间电介质层上的上部层间电介质层，

其中：

所述下部单元沟道结构和所述下部虚设沟道结构垂直地穿透所述下部层间电介质层，

所述上部单元沟道结构和所述上部虚设沟道结构垂直地穿透所述上部层间电介质层，

所述中间层间电介质层围绕所述单元沟道扩大部分的侧表面和所述虚设沟道扩大部分的侧表面，

所述虚设沟道扩大部分的底表面处于比所述中间层间电介质层的底表面低的水平处。

7.如权利要求6所述的三维闪存器件，其中所述单元沟道扩大部分的顶表面处于比所述虚设沟道扩大部分的顶表面高的水平处。

8.如权利要求6所述的三维闪存器件，其中所述单元沟道扩大部分的底表面处于比所述中间层间电介质层的所述底表面低的水平处。

9.如权利要求8所述的三维闪存器件，其中所述虚设沟道扩大部分的所述底表面处于比所述单元沟道扩大部分的所述底表面低的水平处。

10.如权利要求6所述的三维闪存器件，其中所述延伸区域中的所述中间层间电介质层的上表面处于比所述单元区域中的所述中间层间电介质层的上表面低的水平处。

11.如权利要求1所述的三维闪存器件，其中所述单元沟道扩大部分的侧表面和所述虚设沟道扩大部分的侧表面被圆化。