[发明专利]一种晶格式鞋底在审

专利信息
申请号: 201911347848.0 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN110897262A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 袁晨;马克·安德鲁·克罗嫩伯格;安格斯·尼姆林·沃德洛;李苏 申请(专利权)人: 安踏(中国)有限公司
主分类号: A43B13/14 分类号: A43B13/14;A43B13/18
代理公司: 福建联合信实律师事务所 35228 代理人: 李刚
地址: 361000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶格 鞋底
【说明书】:

发明提供一种晶格式鞋底,采用3D打印技术制作而成。所述晶格式鞋底包括第一晶格区域与第二晶格区域,所述第一晶格区域的第一晶格结构的结构密度高于所述第二晶格区域的第二晶格结构的结构密度。该种晶格式鞋底通过采用结构密度不同的第一晶格区域与第二晶格区域,从而实现鞋底不同区域具备不同受力特性,进而为穿戴者提供更好的穿戴舒适度。

技术领域

本发明涉及鞋类领域,具体涉及一种晶格式鞋底。

背景技术

目前,鞋底产品常采用一体结构,鞋底各部分的硬度、耐弯折性、减震性、回弹性、密度等特性相同。而人体在运动过程中,脚底的不同区域在水平方向和竖直方向上受力都不同。而这种情形在面临各种不同的运动场景的时候,更为突出。例如,穿戴者在走路、跑步或者打篮球的时候,这种鞋底无法合理地分配穿戴者脚底的受力效果,给穿戴者的穿戴舒适度不佳。

发明内容

有鉴于此,本发明目的在于提供一种具备不同晶格区域的晶格式鞋底。

为实现本发明目的,提供一种晶格式鞋底,采用3D打印技术制作而成。所述晶格式鞋底包括第一晶格区域与第二晶格区域,所述第一晶格区域的第一晶格结构的结构密度高于所述第二晶格区域的第二晶格结构的结构密度。

可选地,所述第一晶格结构与所述第二晶格结构一一对应连接,且所述第一晶格结构的第一连接面的四个第一顶角点与所述第二晶格结构的第二连接面的四个第二顶角点一一对应,且所述第一晶格结构的第一连接面的第一中心点与所述第二晶格结构的第二连接面的第二中心点相互对应。

可选地,所述第一晶格结构与所述第二晶格结构的杆径尺寸均位于0.7毫米-2毫米范围内。

可选地,所述第一晶格区域与所述第二晶格区域分布在所述晶格式鞋底的水平方向上,所述第一晶格区域位于所述晶格式鞋底的后脚掌位置,所述第一晶格结构用于提供较高支撑性能,所述第二晶格位置位于所述晶格式鞋底的前脚掌位置,所述第二晶格结构用于提供较高回弹减震性能。

可选地,所述第一晶格区域与所述第二晶格区域分布在所述晶格式鞋底的竖直方向上,所述第一晶格区域位于所述第二晶格区域的下方,所述第一晶格结构平均杆长度比所述第二晶格结构的平均杆长度短,用于提供较强的支撑性能,所述第二晶格结构具有多面体的内部空间结构,用于提供较高减震性能。

可选地,所述第一晶格结构为四叶菱形堆叠结构,所述第二晶格结构为截角八面体结构。

可选地,所述晶格式鞋底进一步包括第三晶格区域,所述第三晶格区域位于所述第二晶格区域上方,且所述第三晶格区域的第三晶格结构的结构密度低于所述第二晶格区域的所述第二晶格结构,用于提供轻柔接触性能,所述第三晶格结构为类金刚石分子结构。

可选地,所述晶格式鞋底进一步包括另一第一晶格区域,所述另一第一晶格区域位于所述第二晶格区域的下方。

可选地,在竖直方向上,所述第一晶格区域的所述第一晶格结构的杆径尺寸从上到下依次增大,或所述第二晶格区域的所述第二晶格结构的杆径尺寸从上到下依次增大。

可选地,所述在竖直方向上,所述第一晶格区域的所述第一晶格结构的杆径尺寸从上到下依次增大,且所述第二晶格区域的所述第二晶格结构的杆径尺寸从上到下依次增大。

本发明提供的一种晶格式鞋底,通过采用结构密度不同的第一晶格区域与第二晶格区域,从而实现鞋底不同区域具备不同受力特性,进而为穿戴者提供更好的穿戴舒适度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。

图1为本发明第一实施例提供的一种晶格式鞋底的水平结构示意图。

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