[发明专利]一种集成电路用相移掩模制造方法

权利要求书

1.一种集成电路用相移掩模制造方法，其特征在于，依据客户设计的图形，将图形数据转换成掩模曝光设备能识别的格式，利用掩模曝光机曝光于附有感光材料的掩模基板，经显影刻蚀制程使其表面产生透光与不透光的逻辑图形的过程；依次包括以下步骤：第一次曝光、烘烤、第一次显影、第一次铬蚀刻、第一次去胶、相移层蚀刻、第一次涂胶、监控图形曝光、第二次显影、第二次铬蚀刻、第二次去胶、监测图形相位角、评估计算相移层加蚀刻时间、第二次涂胶、第二次曝光、第三次显影、第三次铬蚀刻、第三次去胶、清洗、图形检测、贴膜、颗粒检测、包装出货。

2.根据权利要求1所述的集成电路用相移掩模制造方法，其特征在于，所述的第一次曝光和第二次曝光是指通过激光或电子束照射涂有光刻胶的掩模基板，光刻胶被照射的位置会发生化学反应，使光刻胶内有/无化学反应的区域得以区隔，经过烘烤、显影去除发生化学反应的光刻胶，最终通过蚀刻去除无光刻胶保护的金属铬。

3.根据权利要求1所述的集成电路用相移掩模制造方法，其特征在于，所述的相移层蚀刻是通过等离子体对无金属层保护的相移层进行蚀刻。

4.根据权利要求1所述的集成电路用相移掩模制造方法，其特征在于，所述的监测图形相位角是指在去除铬金属前，对相位角进行确认并及时进行调整，进而提高相位角精度，其包括涂胶、曝光、显影、铬蚀刻、去胶后，对监测图形进行相位角量测，通过实验数据评估是否需进行相移层再处理工序。