[发明专利]喷射器驱动电路的控制方法在审
| 申请号： | 201911346729.3 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111379640A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 山田隆广;井野拓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日气 |
| 主分类号： | F02D41/20 | 分类号： | F02D41/20;F02D41/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈力奕;宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 喷射器 驱动 电路 控制 方法 | ||
1.一种喷射器驱动电路的控制方法，该喷射器驱动电路包括：第1场效应晶体管(FET)，该第1场效应晶体管(FET)是将至喷射器的驱动电源进行开闭的开关元件；第2场效应晶体管(FET)，该第2场效应晶体管(FET)具有PWM控制功能，所述PWM控制功能用于在所述第1场效应晶体管(FET)导通时与所述第1场效应晶体管(FET)同步地在开阀时间的初期在设定时间内将预先设定的值的起动电流提供给喷射器，以使所述喷射器短时间地进行开阀，并且在之后将维持开闭驱动状态所需的值以上的打开维持用驱动电流提供给喷射器；以及齐纳二极管，该齐纳二极管用于在使所述第1场效应晶体管(FET)截止时，保护第1场效应晶体管(FET)不被喷射器的线圈产生的反向电压损坏，所述喷射器驱动电路的控制方法的特征在于，
在冷启动时或喷射器阀门粘住时，使所述第1场效应晶体管(FET)和第2场效应晶体管(FET)双方导通，并使电流最大，从而提高开阀力矩并打开喷射器，之后在关闭喷射器时，首先使所述第2场效应晶体管(FET)截止，之后经过了规定时间后，使所述第1场效应晶体管(FET)截止，从而防止在闭阀时产生的来自喷射器的反向电压导致所述齐纳二极管发生损坏。
2.如权利要求1所述的喷射器驱动电路的控制方法，其特征在于，
使所述第2场效应晶体管(FET)截止、之后使所述第1场效应晶体管(FET)截止的规定时间至少是在所述第2场效应晶体管(FET)截止后、来自喷射器的线圈的反向电压被导通状态的所述第1场效应晶体管(FET)所消耗而变得小于所述齐纳二极管的电压值的时间。
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