[发明专利]一种无需焊线的半导体芯片封装结构和封装方法在审
申请号: | 201911345558.2 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN110896058A | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 涂波;郑香奕 | 申请(专利权)人: | 深圳市洁简达创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 东莞合方知识产权代理有限公司 44561 | 代理人: | 许建成 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无需 半导体 芯片 封装 结构 方法 | ||
1.一种无需焊线的半导体芯片封装结构,其特征在于:包括至少一层封装结构,所述封装结构包括底材、在所述底材上排布有半导体芯片,所述半导体芯片的管脚连接经金属膜或者合金膜雕刻或者蚀刻而成的导电线路,还包括封装胶水层,所述封装胶水层覆盖所述半导体芯片和所述导电线路。
2.根据权利要求1所述的无需焊线的半导体芯片封装结构,其特征在于:所述金属膜或者所述合金膜由真空蒸镀、磁控溅镀、连续镀膜、水电镀膜或者化学镀膜方式成膜。
3.根据权利要求1所述的无需焊线的半导体芯片封装结构,其特征在于:所述导电线路由激光雕刻或蚀刻形成。
4.根据权利要求1所述的无需焊线的半导体芯片封装结构,其特征在于:所述封装胶水层经电磁波固化。
5.根据权利要求1至4任一所述的无需焊线的半导体芯片封装结构,其特征在于:所述底材设为玻璃或者塑料、陶瓷,所述封装结构设为2层至96层的封装结构。
6.一种无需焊线的半导体芯片封装方法,其特征在于,包括步骤:
A1、在底材上排布半导体芯片;
A2、在所述半导体芯片的周围制作金属膜或者合金膜;
A3、对所述金属膜或者所述合金膜雕刻或者蚀刻形成导电线路;
A4、在所述半导体芯片和所述导电线路的上方覆盖封装胶水层。
7.根据权利要求6所述的无需焊线的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述金属膜或者所述合金膜由真空蒸镀、磁控溅镀、连续镀膜、水电镀膜或者化学镀膜方式成膜。
8.根据权利要求7所述的无需焊线的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述导电线路由激光雕刻或蚀刻形成。
9.根据权利要求8所述的无需焊线的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述封装胶水层经电磁波固化。
10.根据权利要求9所述的无需焊线的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述底材设为玻璃或者塑料、陶瓷、PCB板。
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