[发明专利]一种g-C3在审

专利信息
申请号: 201911344570.1 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN111068733A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 吕建华;孙铭;刘继东;王荷芳 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J35/02;B01J35/10;C07C67/00;C07C69/06;C01B21/082
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 base sub
【说明书】:

发明为一种g‑C3N4纳米卷的制备方法及其应用。该方法通过过热氧化剥离与物理超声剥离法相结合,首先剥离得到g‑C3N4纳米片,再以异丙醇为诱导剂,在恒温真空条件下,最终诱导g‑C3N4纳米片,自动卷曲成g‑C3N4纳米卷。本发明可以实现g‑C3N4纳米卷的简单快速制备,且该方法制备的g‑C3N4纳米卷具有多层的卷轴结构和较高的比表面积、较低光生电子‑空穴复合率,并将其应用于光催化还原CO2制甲酸甲酯反应中,表现出较高的催化活性。

技术领域

本发明涉及一种氮化碳纳米卷的制备方法及其光催化二氧化碳还原的应用。本发明设及纳米材料、光催化技术领域。

背景技术

随着人类社会的发展,大量化石能源被开采使用,导致大气中二氧化碳的浓度持续增加,能源与环境问题加剧,这迫使人们开发新的可再生能源技术。如今,利用太阳光照射半导体材料,将二氧化碳还原为小分子有机物,被认为是有望解决能源危机和缓解温室效应的有效途径。

石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种不含金属的半导体材料,具有稳定的化学性质,在可见光下具有光响应能力。通常制备的g-C3N4由于片层堆叠的结构,存在比表面积较低,光生电子-空穴复合率高的缺点,限制了它在光催化领域的应用。因此,对g-C3N4进行元素掺杂,构建异质结和对g-C3N4进行纳米形貌调控都是改善g-C3N4这些缺陷有效的手段。其中,调节g-C3N4的纳米形貌是提高光催化性能的重要策略,目前已有关于纳米片,纳米管和纳米球制备的报道,其中纳米管由于具有独特的管状通道,可以有效地沿一维路径转移光生电子,减少光生电子-空穴的复合,并具有良好的光催化活性。而具有多层管壁结构的纳米卷,除了具有纳米管的特性外,还可能具有其他特点。Thomas等(Evaluation of carbonnanoscroll materials for post-combustion CO2 capture[J].Carbon,2016,101:218-225.(碳纳米卷材捕集燃烧后产生的二氧化碳的评估))经分子模拟计算,发现由于卷状结构的存在,g-C3N4纳米卷对CO2气体的捕捉具有不同于纳米管的扩散方式,同时对CO2具有选择性吸附特性,预示着g-C3N4纳米卷在捕捉混合烟气中的应用前景。但如何使g-C3N4纳米片有效地滚动成卷,实现可靠的实验制备,仍然具有挑战性,因此目前还没有关于g-C3N4纳米卷制备的成熟方法。

发明内容

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911344570.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top