[发明专利]一种可适应多尺寸衬底厚度变化的MPCVD基片台

权利要求书

1.一种可适应多尺寸衬底生长过程中厚度变化的MPCVD基片台，主要包括基片台1、衬底环2、顶针推杆平台3、电机传导推杆4和电机5，其主要特征在于所述衬底环2放置在基片台1的凹槽中，凹槽中设置若干通孔，顶针推杆平台3上的顶针穿过通孔与所述衬底环2底部连接，顶针推杆平台3底部与电机传导推杆4顶部固定连接，电机传导推杆4底部与电机5固定连接，电机5运转推动电机传导推杆4，并带动顶针推杆平台3及与其连接的衬底环2上下垂直运动。

2.根据权利要求1所述的可适应多尺寸衬底生长过程中厚度变化的MPCVD基片台，其特征在于所述基片台1上的凹槽上设置的通孔方式为周向均匀设置三个，并在通孔中设置有定位槽，顶针推杆平台34穿过通孔并通过定位槽连接衬底环2并使衬底环2能在基片台1旋转时保持稳定，其中基片台1旋转时腔体内的密封性通过磁流体密封6得到保障。

3.根据权利要求1所述的可适应多尺寸衬底生长过程中厚度变化的MPCVD基片台，其特征在于所述基片台1上可以设置多组不同尺寸衬底环2，在相应尺寸上，基片台1上的凹槽和顶针推杆平台3的顶针同样设置多组，以适应不同尺寸衬底生长。

4.根据权利要求1所述的可适应多尺寸衬底生长过程中厚度变化的MPCVD基片台，其特征在于所述的衬底环2的形状可以设置为圆形，也可以设置为正方形，或者其他的几何形状，与所述相应的衬底环2配合的基片台1中用于放置衬底环2的凹槽形状也应做相应的变化。