[发明专利]提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构

权利要求书

1.一种提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，包括：

提供设置有若干半导体芯片的晶圆，所述相邻的半导体芯片具有切割道，所述切割道上有用于对准的金属结构、电性测试的金属焊盘、膜厚量测的金属焊盘中的至少一种；

沿切割道方向去除所述金属结构或金属焊盘的部分金属或全部金属，形成间隙，以降低后续切割的难度。

2.如权利要求1提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，沿间隙深度方向，金属被完全刻蚀。

3.如权利要求1提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，沿间隙深度方向，金属被部分刻蚀。

4.如权利要求1提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，预先设计间隙的位置、大小、形状，保证晶圆对准、电性测试或膜厚量测的有效性。

5.如权利要求4的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，对于用于膜厚量测的金属焊盘，保证量测性能为置信度大于等于0.9。

6.如权利要求5的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，提供光斑照射于所述晶圆，所述光斑分别对应于所述金属焊盘进行晶圆量测。

7.如权利要求5的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，当所述间隙宽度与金属焊盘宽度的比值大于等于一阈值时，所述焊盘间隙可设置于所述金属焊盘的非中间区域。

8.如权利要求1的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，所述间隙通过版图设计来实现，并且间隙的方向和所处的切割道的方向一致。

9.如权利要求1的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，采用激光隐形切割工艺沿所述金属结构或金属焊盘的中间区域切割所述晶圆。

10.如权利要求1的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，采用机械切割方式沿所述金属结构或金属焊盘的中间区域切割所述晶圆。

11.如权利要求1的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，切开所述晶圆的全部或部分厚度，晶圆进行扩膜形成单个的半导体芯片。

12.一种提高晶圆切割性能的晶圆结构，其特征在于，包括：

所述晶圆上设置有若干半导体芯片，所述相邻的半导体芯片具有切割道，所述切割道上有用于对准的金属结构、电性测试的金属焊盘、膜厚量测的金属焊盘中的至少一种；

所述金属结构或金属焊盘上设置有沿切割道方向的间隙，以降低后续切割的难度。

13.如权利要求12提高晶圆切割性能的晶圆结构，其特征在于，所述间隙深度等于金属结构或金属焊盘的厚度。

14.如权利要求12提高晶圆切割性能的晶圆结构，其特征在于，所述间隙深度小于金属结构或金属焊盘的厚度。

15.如权利要求12提高晶圆切割性能的晶圆结构，其特征在于，所述间隙的位置、大小、形状保证晶圆对准、电性测试或膜厚量测的有效性。

16.如权利要求15的提高晶圆切割性能的晶圆结构，其特征在于，对于用于膜厚量测的金属焊盘，保证量测性能为置信度大于等于0.9。

17.如权利要求16的提高晶圆切割性能的晶圆结构，其特征在于，当所述间隙宽度与金属焊盘宽度的比值大于等于一阈值时，所述焊盘间隙可设置于所述金属焊盘的非中间区域。

18.如权利要求12的提高晶圆切割性能的晶圆结构，其特征在于，所述间隙的方向和所处的切割道的方向一致。