[发明专利]一种化学机械抛光研磨剂的制备方法及化学机械抛光方法

说明书

本申请公开了一种化学机械抛光研磨剂的制备方法及化学机械抛光方法，其中，化学机械抛光研磨剂的制备方法在获取了待处理研磨剂和预设有机硅烷后，利用预设有机硅烷对分散在有机溶剂中的待处理研磨剂进行表面改性处理，并对待分离液体进行处理，以获得表面改性的化学机械抛光研磨剂，表面改性的化学机械抛光研磨剂可以被有机化合物均匀包裹，在避免表面改性的化学机械抛光研磨剂在研磨液体中团聚，避免在化学机械抛光处理过程中团聚的研磨剂对半导体元件表面造成损伤情况的基础上，减少了有机化合物的用量。另外，表面改性的化学机械抛光研磨剂与有机化合物的结合更加紧密，有利于提升在化学机械抛光的研磨过程中的缓冲效果。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种化学机械抛光研磨剂的制备方法及化学机械抛光方法。

背景技术

在半导体器件的制备过程中，大多要求制备过程中应用到的半导体元件具有平坦、无划痕且无杂质玷污的表面。因此在半导体元件使用之前通常需要对其进行化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)工艺处理，为元件的下一步加工奠定良好的基础。

研磨剂是化学机械抛光工艺处理过程不可或缺的材料之一，针对不同的元件类型选择不同种类的研磨剂对其进行化学机械抛光处理。

但是在实际应用过程中发现，研磨剂在分散到溶剂中成为研磨液体后，会出现研磨剂团聚的现象，而团聚的研磨剂在化学机械抛光处理过程中，会刮伤半导体元件表面，导致半导体元件表面出现划痕或损伤。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种化学机械抛光研磨剂的制备方法及化学机械抛光方法，以避免化学机械抛光研磨剂在应用过程中出现团聚而在化学机械抛光处理过程中刮伤半导体元件表面的情况出现。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种化学机械抛光研磨剂的制备方法，包括：

获取待处理研磨剂；

获取预设有机硅烷；

将所述待处理研磨剂分散在有机溶剂中，并按照预设质量比，利用所述预设有机硅烷对分散在有机溶剂中的待处理研磨剂进行表面改性处理，以获得待分离液体；

对所述待分离液体进行处理，以获得表面改性的化学机械抛光研磨剂。

可选的，所述预设有机硅烷为十二烷基三乙氧基硅烷、十三烷基三乙氧基硅烷、十四烷基三乙氧基硅烷、十五烷基三乙氧基硅烷和十六烷基三乙氧基硅烷中的任意一种。

可选的，所述将所述待处理研磨剂分散在有机溶剂中，并按照预设质量比，利用所述预设有机硅烷对分散在有机溶剂中的待处理研磨剂进行表面改性处理，以获得待分离液体包括：

将所述待处理研磨剂分散在有机溶剂中，所述有机溶剂为乙醇、甲醇、甲苯或丙酮；

将分散有所述待处理研磨剂的有机溶剂加热到预设温度，并在搅拌条件下按照所述预设质量比加入预设有机硅烷，以获得所述待分离液体。

可选的，所述待分离液体中，所述待处理研磨剂的质量分数的取值范围为90-99.9％。

可选的，所述待分离液体中，所述预设有机硅烷的质量分数的取值范围为0.01-10％。

可选的，所述预设温度的取值范围为30-70℃。

可选的，所述对所述待分离液体进行处理包括：

对所述待分离液体依次进行回流、过滤、洗涤和烘干处理。

可选的，所述回流处理的时间的取值范围为1-24h。

一种化学机械抛光方法，包括：