[发明专利]封装结构和其制造方法

说明书

本揭露实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。本揭露实施例提供一种封装结构，包含半导体管芯和重布线电路结构。重布线电路结构设置在半导体管芯上且电连接到半导体管芯，且包含金属化层和设置在金属化层上的介电层。金属化层具有多个导电图案，其中所述多个导电图案中的每一个包含多个晶粒，晶粒各自呈柱形且包含具有在(220)晶格平面上定向的铜原子的多个第一带状结构。

技术领域

本揭露实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。

背景技术

半导体器件和集成电路通常在单个半导体晶片上制造。晶片的管芯可通过晶片级(wafer level)来与其它半导体器件或管芯一起进行处理和封装，且已经针对晶片级封装(wafer level packaging)开发各种技术(例如，形成重布线电路结构/层)。此外，这种封装体可在切割(dicing)之后进一步集成到半导体衬底或载体。因此，每一封装体内的内部组件(例如，重布线电路结构)内的电性性能的可靠性变得重要。

发明内容

本揭露实施例提供一种封装结构，包含半导体管芯和重布线电路结构。重布线电路结构设置在半导体管芯上且电连接到半导体管芯，且包含金属化层和设置在金属化层上的介电层。金属化层具有多个导电图案，其中所述多个导电图案中的每一个包含多个晶粒，晶粒各自呈柱形且包含具有在(220)晶格平面上定向的铜原子的多个第一带状结构。

附图说明

结合附图阅读以下具体实施方式会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1到图6以及图8到图15是根据本公开的一些实施例的封装结构的制造方法中的各个阶段的示意性横截面视图。

图7A是图6中所描绘的导电图案的一部分的放大示意性横截面视图。

图7B是图6中所描绘的导电图案的一部分的放大示意性俯视图。

图16是根据本公开的一些示范性实施例的封装结构的示意性横截面视图。

图17是根据本公开的一些示范性实施例的封装结构的示意性横截面视图。

图18是根据本公开的一些示范性实施例的封装结构的示意性横截面视图。

图19是根据本公开的一些示范性实施例的封装结构的示意性横截面视图。

图20是根据本公开的一些示范性实施例的封装结构的示意性横截面视图。

图21是示出根据本公开的一些示范性实施例的用于进行电化学镀覆工艺的电镀设备的示意图。

[附图标号说明]

10：镀覆浴箱；

11：阳极；

12：阴极；

13：镀覆溶液；

14：电源；

112：载体；

114：剥离层；

116：缓冲层；

130、130-1、130-2、130-3、820a、820b：半导体管芯；

130a：有源表面；

130b：接垫；

130c：钝化层；

130d：导通孔；

130e：保护层；

130f：背侧表面；