[发明专利]芯片封装结构的形成方法

说明书

提供一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成凸块与虚设凸块。虚设凸块靠近第一基底的第一角落，且虚设凸块较凸块宽。此方法包含经由凸块将第一基底接合至第二基底。虚设凸块与芯片以及第二基底电气绝缘。此方法包含于第一基底与第二基底之间形成保护层。保护层围绕虚设凸块与凸块，且保护层位于虚设凸块与第二基底之间。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置及其形成方法，且特别关于芯片封装结构及其形成方法。

背景技术

半导体装置被使用于各种电子产品中，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。一般而言，在半导体基底上按序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体层，并且以光刻的方式将各材料层图案化以于其上形成电路组件及元件，借此制造半导体装置。

于单一半导体晶圆之上通常制造数十或数百个集成电路。沿着切割线巨切集成电路以单离(singulate)各晶粒。接着，分开堆叠各晶粒。经由持续缩减最小部件尺寸，半导体产业持续增进各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，这使得更多元件可被整合至一特定面积。然而，由于部件尺寸持续缩减，制造流程的进行持续变困难。因此，形成可靠的具有高整合密度的电子元件的封装体存在挑战。

发明内容

本发明实施例包含一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面、于第一基底的第二表面上形成凸块与虚设凸块。虚设凸块靠近第一基底的第一角落，虚设凸块比凸块宽。此方法亦包含经由凸块将第一基底接合至第二基底。虚设凸块与芯片以及第二基底电气绝缘。此方法亦包含于第一基底与第二基底之间形成保护层。保护层围绕虚设凸块与凸块，且保护层部分地位于虚设凸块与第二基底之间。

本发明实施例亦包含一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含于芯片之上形成第一凸块与第一虚设凸块。第一虚设凸块靠近芯片的第一角落，第一虚设凸块较第一凸块宽，且第一虚设凸块位于第一凸块与第一角落之间。此方法亦包含经由第一凸块将芯片接合至第一基底的第一表面。第一虚设凸块与第一基底电气绝缘。

本发明实施例亦包含一种芯片封装结构。此芯片封装结构包含第一基底、位于第一基底的第一表面之上的芯片、位于第一基底的第二表面之上的第一凸块与第一虚设凸块。第一虚设凸块靠近第一基底的第一角落，且第一虚设凸块较第一凸块宽。此芯片封装结构亦包含第二基底。第一基底位于第二基底之上，第一凸块将第一基底连接至第二基底，且第一虚设凸块与芯片以及第二基底电气绝缘。此芯片封装结构亦包含位于第一基底与第二基底之间的保护层。保护层围绕第一虚设凸块与第一凸块，且保护层部分地位于第一虚设凸块与第二基底之间。

附图说明

通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

根据一些实施例，图1A～1G是形成芯片封装结构的工艺的各阶段的剖面示意图。

根据一些实施例，图1A-1是基底的俯视图。

根据一些实施例，图1A-2是图1A的芯片的底视示意图。

根据一些实施例，图1B-1是图1B的芯片封装结构的俯视图。

根据一些实施例，图1D-1是图1D的芯片封装结构的俯视图。

根据一些实施例，图1F-1是图1F的芯片封装结构的俯视图。

根据一些实施例，图1G-1是图1G的芯片封装结构的俯视图。

根据一些实施例，图2A是芯片封装结构的剖面示意图。

根据一些实施例，图2B是图2A的芯片封装结构的俯视图。