[发明专利]实现消除失调功能的采样保持电路结构在审
| 申请号： | 201911335750.3 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113098510A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 曾洁琼;张天舜;刘玉芳;丁增伟 | 申请（专利权）人： | 华润微集成电路（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/06 | 分类号： | H03M1/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 消除 失调 功能 采样 保持 电路 结构 | ||
1.一种实现消除失调功能的采样保持电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括运算放大器、第一CMOS传输门模块和失调消除模块，所述的运算放大器的正输入端接输入信号，输出端与第一CMOS传输门模块相连，且运算放大器的负输入端与输出端相连作为单位增益缓冲器，所述的失调消除模块的两端分别与所述的运算放大器的正输入端和CMOS传输门模块的输出端相连接，所述的失调消除模块用于消除运算放大器引入的失调电压的影响。
2.根据权利要求1所述的实现消除失调功能的采样保持电路结构，其特征在于，所述的失调消除模块包括脉冲产生单元和第一反相器，所述的脉冲产生模块的输出端与第一反相器的输入端相连接；所述的失调消除模块还包括第二CMOS传输门单元，所述的第二CMOS传输门单元分别与输入信号端和输出信号端相连接。
3.根据权利要求2所述的实现消除失调功能的采样保持电路结构，其特征在于，所述的第二CMOS传输门单元由第二PMOS管和第二NMOS管构成，所述的脉冲产生单元的输出信号和第一反相器的输出信号分别控制第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极。
4.根据权利要求2所述的实现消除失调功能的采样保持电路结构，其特征在于，所述的脉冲产生单元由第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、二输入或非门、电阻和电容构成，所述的第二反相器与第三反相器串联，所述的第四反相器、电阻、第五反相器、第六反相器串联，所述的第四反相器的输入端与第三反相器的输出端相连接，所述的二输入或非门的第一输入端与第三反相器的输出端相连接，所述的二输入或非门的第二输入端与第五反相器的输出端相连接，所述的电容一端接于电阻和第五反相器之间，另一端接地。
5.根据权利要求1所述的实现消除失调功能的采样保持电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括采样电容，所述的采样电容的一端与所述的第一CMOS传输门模块的输出端相连接，另一端接地。
6.根据权利要求1所述的实现消除失调功能的采样保持电路结构，其特征在于，所述的CMOS传输门模块由第一PMOS管和第一NMOS管构成。
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