[发明专利]半导体工艺的控制方法及其系统

说明书

该发明涉及半导体工艺领域，公开了一种半导体工艺的控制方法及其系统。该方法包括：在启动暖机操作中，通过获取氢氧根离子光强，来检测腔体内水汽的含量；当所述腔体内水汽的含量在稳定范围内时，执行复机操作。本发明通过刻蚀终点侦测器来获取腔体内游离的氢氧根的光强大小,在机台开腔保养后实时检测腔体水汽含量情况，可以及时判断腔体水汽状况,排除水汽对复机进度的影响,防止因水汽导致的复机失败,提高复机成功率。

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，具体涉及一种半导体工艺的控制方法及其系统。

背景技术

在半导体工艺进程中需要将晶圆在各个腔体之间传递，腔体在开腔保养过后,少量空气会残留在腔体内,为避免空气中的水汽影响产品制程,需要使用控片(Dummy Wafer)进行暖机。

现有技术下，由于腔体内的水汽含量无法侦测,暖机所需使用的控片数量只能依据以往的经验,这会在暖机时出现两种问题：第一暖机时间过短,腔体内残留的水汽会影响产品晶圆的线径,造成复机时试运行(Test Run)的产品晶圆(Production Wafer)测试失败,降低机台复机成功率；第二暖机时间过长,浪费控片的同时延长机台复机时间,影响机台复机效率。因此，如何判断腔体暖机程度是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体工艺的控制方法及其系统，能够实时检测腔体水汽含量情况,从而缩短复机时间,减少控片使用数量，有效提高保养效率，节省公司成本。

为解决上述技术问题，本发明中提供了一种半导体工艺的控制方法，其特征在于：在启动暖机操作中，通过获取氢氧根离子光强，来检测腔体内水汽的含量；当所述腔体内水汽的含量在稳定范围内时，执行复机操作。

可选的，在启动腔体暖机操作之前，还包括：将所述腔体的暖机配方中加入获取氢氧根离子光强的刻蚀终点侦测配方。

可选的，将刻蚀终点侦测传感器设置于所述腔体，通过刻蚀终点侦测传感器获取所述腔体内氢氧根离子光强。

可选的，所述获取腔体内氢氧根离子光强的步骤进一步还包括：通过负离子轰击所述腔体内水汽，将水汽分解为氢离子和氢氧根离子。

可选的，所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内的判断方法包括：根据所述获取氢氧根离子光强，形成氢氧根离子光强曲线；当所述氢氧根离子光强曲线中出现至少三个连续的点对应的光强数值低于阈值，所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内。

可选的，当所述腔体内水汽的含量不在稳定范围内时，始终重复上述检测动作，直到所述腔体内水汽的含量在稳定范围内。

可选的，所述刻蚀终点侦测传感器与自动化办公系统对接；当所述腔体内水汽的含量在稳定范围内时，所述自动化办公系统输出提醒信息。

本发明中还提供了一种半导体工艺的控制系统，其特征在于：

获取模块，用于获取腔体内氢氧根离子光强；

检测模块，与所述获取模块连接，用于根据获取腔体内氢氧根离子光强，来检测腔体内水汽的含量；

判断模块，与所述检测模块连接，用于判断所述腔体内水汽的含量是否控制在稳定范围内；当所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内时，输出复机指令；

执行模块，与所述判断模块连接，用于根据所述复机指令，输出提醒信息，执行复机操作。

可选的，所述获取模块还包括：存储单元，用于根据获取腔体内氢氧根离子光强，形成氢氧根离子光强曲线。

可选的，所述判断模块用于判断所述氢氧根离子光强曲线中是否出现至少三个连续的点低于阈值；若是，则所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内；若否，则所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内。