[发明专利]半导体工艺的控制方法及其系统在审
| 申请号: | 201911334736.1 | 申请日: | 2019-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN113097095A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
| 发明(设计)人: | 郭登冬;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 工艺 控制 方法 及其 系统 | ||
1.一种半导体工艺的控制方法,其特征在于,包括:
在启动暖机操作中,通过获取氢氧根离子光强,来检测腔体内水汽的含量;
当所述腔体内水汽的含量在稳定范围内时,执行复机操作。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺的控制方法,其特征在于,在启动腔体暖机操作之前,还包括:将所述腔体的暖机配方中加入获取氢氧根离子光强的刻蚀终点侦测配方。
3.根据权利要求2所述的半导体工艺的控制方法,其特征在于,还包括:将刻蚀终点侦测传感器设置于所述腔体,通过刻蚀终点侦测传感器获取所述腔体内氢氧根离子光强。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺的控制方法,其特征在于,所述获取腔体内氢氧根离子光强的步骤进一步还包括:通过负离子轰击所述腔体内水汽,将水汽分解为氢离子和氢氧根离子。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺的控制方法,其特征在于,所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内的判断方法包括:根据所述获取氢氧根离子光强,形成氢氧根离子光强曲线;当所述氢氧根离子光强曲线中出现至少三个连续的点对应的光强数值低于阈值,所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺的控制方法,其特征在于,还包括:当所述腔体内水汽的含量不在稳定范围内时,始终重复上述检测动作,直到所述腔体内水汽的含量在稳定范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体工艺的控制方法,其特征在于,还包括:所述刻蚀终点侦测传感器与自动化办公系统对接;当所述腔体内水汽的含量在稳定范围内时,所述自动化办公系统输出提醒信息。
8.一种半导体工艺的控制系统,其特征在于,包括:
获取模块,用于获取腔体内氢氧根离子光强;
检测模块,与所述获取模块连接,用于根据获取腔体内氢氧根离子光强,来检测腔体内水汽的含量;
判断模块,与所述检测模块连接,用于判断所述腔体内水汽的含量是否控制在稳定范围内;当所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内时,输出复机指令;
执行模块,与所述判断模块连接,用于根据所述复机指令,输出提醒信息,执行复机操作。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺的控制系统,其特征在于,所述获取模块还包括:存储单元,用于根据获取腔体内氢氧根离子光强,形成氢氧根离子光强曲线。
10.根据权利要求8所述的半导体工艺的控制系统,其特征在于,还包括:所述判断模块用于判断所述氢氧根离子光强曲线中是否出现至少三个连续的点低于阈值;若是,则所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内;若否,则所述腔体内水汽的含量控制在稳定范围内。
11.根据权利要求8所述的半导体工艺的控制系统,其特征在于,还包括:所述执行模块,用于当所述腔体内水汽的含量不在稳定范围内时,始终重复上述检测动作,直到所述腔体内水汽的含量在稳定范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





