[发明专利]一种用于电阻片的高绝缘无机高阻釉及制备方法

权利要求书

1.一种用于电阻片的高绝缘无机高阻釉，其特征在于，包括氧化物配料，所述氧化物配料包括ZnO、Bi₂O₃、Sb₂O₃、Co₂O₃、Mn₃O₄、NiO和MgO；所述氧化物配料各成分之间按摩尔百分比配置如下：

ZnO：88~91%；

Bi₂O₃：0.05~0.2%；

Sb₂O₃：3~4%；

Co₂O₃：0.5~1.5%；

Mn₃O₄：0.5~1.5%；

NiO：0.5~2%；

MgO：3~5%。

2.如权利要求1所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）、将氧化物配料、去离子水、聚乙烯醇溶液以及分散剂混合后进行球磨；

（2）、球磨一定时间后，制得高绝缘特性无机高阻釉。

3.如权利要求2所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，所述球磨使用玛瑙球，玛瑙球、氧化物配料、去离子水、聚乙烯醇及分散剂按重量份配比如下：

玛瑙球：300份；

氧化物配料：100份；

去离子水：100份；

聚乙烯醇：4份；

分散剂：1份。

4.如权利要求2所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，所述球磨的方式采用滚桶球磨、搅拌球磨和行星式球磨中的一种。

5.如权利要求2或3所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，所述聚乙烯醇溶液的质量浓度为2-20％。

6.如权利要求2或3所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，所述分散剂的质量浓度为5-20%。

7.如权利要求2或3所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，所述分散剂采用聚丙烯酸铵、柠檬酸、聚氧乙烯醚中的一种或多种的组合。

8.如权利要求2所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，所述球磨时间设置为120~2200分钟。