[发明专利]光学感测滤光器及其形成方法有效
申请号: | 201911333690.1 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN112397528B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 王庆森;陈旷举;萧鹏展;刘汉英;陈庆宗;郑书贤;黄文秀 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G02B5/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 周晓飞;许曼 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 滤光 及其 形成 方法 | ||
1.一种光学感测滤光器,其特征在于,包括:
一基板,包括一主动区以及一感测区;
一光电二极管,设置在该基板的该感测区中;以及
一滤光片结构,设置在该光电二极管之上,其中该滤光片结构包括:
一第一滤光片堆迭,设置在该光电二极管之上,其中该第一滤光片堆迭包括:
一第一黏着层,设置在该光电二极管之上;
一第一金属层,设置在该第一黏着层之上;以及
一第一绝缘层,设置在该第一金属层之上;以及
一第二滤光片堆迭,设置在该第一滤光片堆迭之上,其中该第二滤光片堆迭包括:
一第二黏着层,设置在该第一绝缘层之上;
一第二金属层,设置在该第二黏着层之上;以及
一第二绝缘层,设置在该第二金属层之上;
该第二黏着层的热膨胀系数介于该第一绝缘层及该第二金属层的热膨胀系数之间;
还包括一保护层,位于该光电二极管及该第一黏着层之间;
该第一黏着层的热膨胀系数介于该保护层及该第一金属层的热膨胀系数之间。
2.如权利要求1所述的光学感测滤光器,其特征在于,该第一黏着层及/或该第二黏着层的厚度在0.01纳米至1纳米的范围。
3.如权利要求1所述的光学感测滤光器,其特征在于,该保护层与该第一绝缘层及/或该第二绝缘层包括相同的材料。
4.如权利要求1所述的光学感测滤光器,其特征在于,还包括:
一电晶体,位于该基板的该主动区中;
一金属间介电层,位于该基板之上,其中该金属间介电层覆盖该电晶体;以及
一凹口,穿过该金属间介电层且露出该光电二极管的顶表面,其中该滤光片结构顺应性地沿着该感测区中的该金属间介电层及该凹口设置。
5.如权利要求4所述的光学感测滤光器,其特征在于,该凹口的底表面与该凹口的侧壁夹一角度,且其中该角度在88度至92度的范围。
6.一种光学感测滤光器的形成方法,其特征在于,包括:
提供一基板,该基板包括一主动区以及一感测区;
在该基板的该感测区中形成一光电二极管;以及
在该光电二极管之上形成一滤光片结构,其中形成该滤光片结构的步骤包括:
在该光电二极管之上形成一第一滤光片堆迭,其中形成该第一滤光片堆迭的步骤包括:
在该光电二极管之上形成一第一黏着层;
在该第一黏着层之上形成一第一金属层;以及
在该第一金属层之上形成一第一绝缘层;以及
在该第一滤光片堆迭之上形成一第二滤光片堆迭,其中形成该第二滤光片堆迭的步骤包括:
在该第一绝缘层之上形成一第二黏着层;
在该第二黏着层之上形成一第二金属层;以及
在该第二金属层之上形成一第二绝缘层;
该第二黏着层的热膨胀系数介于该第一绝缘层及该第二金属层的热膨胀系数之间;
还包括在该光电二极管及该第一黏着层之间形成一保护层;
该第一黏着层的热膨胀系数介于该保护层及该第一金属层的热膨胀系数之间。
7.如权利要求6所述的光学感测滤光器的形成方法,其特征在于,以相同的材料形成该保护层与该第一绝缘层及/或该第二绝缘层。
8.如权利要求6所述的光学感测滤光器的形成方法,其特征在于,在形成该滤光片结构之前还包括:
在该基板的该主动区中形成一晶体管;
在该基板上形成一金属间介电层,其中该金属间介电层覆盖该晶体管及该光电二极管;以及
刻蚀该金属间介电层,以形成露出该光电二极管的顶表面的一凹口,其中形成该滤光片结构的步骤更包括沿着该感测区中的该金属间介电层及该凹口顺应性地形成该滤光片结构。
9.如权利要求8所述的光学感测滤光器的形成方法,其特征在于,该凹口的底表面与该凹口的侧壁夹一角度,且其中该角度在88度至92度的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的