[发明专利]一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法

权利要求书

1.一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法，其特征在于包括以下步骤：

1)根据Micro-LED芯片有源区对芯片发光波长的调控机理，构建Micro-LED芯片光学性能模型；

2)根据步骤1)构建的Micro-LED芯片光学性能模型制备微纳尺度下量子阱层露出的Micro-LED芯片；

3)在步骤2)制备的Micro-LED芯片的侧壁沉积ALD层；

4)在Micro-LED芯片上沉积量子点，使量子点和侧壁量子阱接触，从而利用非辐射能量转移机制加大载流子复合效率，降低载流子寿命。

2.如权利要求1所述的一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法，其特征在于：在步骤1)中，Micro-LED有源区的侧壁结构包括环状、柱状、孔状或其他立体结构。

3.如权利要求2所述的一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法，其特征在于：在步骤1)中，利用软件模拟不同规格的环状、柱状、孔状或其他立体结构下Micro-LED芯片中有源区的应力分布以及能带结构，获得不同规格的环状、柱状、孔状或其他立体结构中量子限制斯塔克效应对芯片发光波长的调控机理，然后软件仿真并优化不同规格的环状、柱状、孔状或其他立体结构下的光提取效率以及可与量子点发生接触的量子阱区域面积，从而构建Micro-LED芯片光学性能模型。

4.如权利要求1所述的一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法，其特征在于：在步骤2)中Micro-LED芯片的量子阱层形成有微纳结构下的环状、柱状、孔状或其他立体结构。

5.如权利要求1或4所述的一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法，其特征在于步骤2)中Micro-LED芯片的制备方法包括以下步骤：

1)光刻形成图案，将设计好的图案从掩膜版上转移到目标样本上；

2)采用干蚀刻方法对Micro-LED进行蚀刻；

3)沉积金属接触层；

4)沉积量子阱层。

6.如权利要求1所述的一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法，其特征在于：在步骤3)中，根据ALD层厚度对Micro-LED芯片的出光强度和载流子寿命的影响，优化ALD层的厚度。

7.如权利要求1所述的一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法，其特征在于：在步骤4)中，通过对量子点溶液的喷速、喷嘴与基板的间距、喷嘴移动的速度的参数调控，在Micro-LED芯片上沉积一层均匀的量子点。