[发明专利]提高超薄压电陶瓷片致密度的方法在审
申请号: | 201911332435.5 | 申请日: | 2019-12-22 |
公开(公告)号: | CN111018542A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 褚涛;张田才;张静;陈鱼;刘长流;张珍宣 | 申请(专利权)人: | 贵州振华红云电子有限公司;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/01;C04B35/04;C04B35/46;C04B35/48;C04B35/495 |
代理公司: | 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109 | 代理人: | 杨云 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 超薄 压电 陶瓷 致密 方法 | ||
本发明公开了一种提高超薄压电陶瓷片致密度的方法,属于压电陶瓷片的制备方法;旨在提供一种既能满足大规模批量化生产的需求、又可提高产品质量的压电陶瓷片的制备方法。本发明方法的技术方案是:将压电陶瓷粉体、粘合剂、消泡剂、分散剂、增塑剂、乙醇、去离子水混合,球磨,得浆料;去除浆料中的气泡,然后流延成0.02‑0.1㎜厚的膜带;精轧所述流延膜带至所需厚度,保证每次精轧的厚度减少量为0.005‑0.02㎜;将精轧后的膜带冲压成膜片,然后排胶、烧结。采用本发明方法制备的压电陶瓷片成品,其密度可达到理论密度的98%以上。
技术领域
本发明涉及一种压电陶瓷片的制备方法,尤其涉及一种提高超薄压电陶瓷片致密度的方法;属于电子元器件的制备方法。
背景技术
压电陶瓷广泛应用于材料工程,声、光、电等各个领域。随着智能器件小型化的快速发展,要求其使用的核心元件陶瓷芯片也向小型化、薄型化发展。
目前,压电陶瓷膜带的制备方法主要方法有流延、挤膜和轧膜三种;其中,流延主要适合制备0.02-0.1㎜厚的膜带,挤膜适合制备0.1-0.4㎜厚的膜带,轧膜适合制备0.15-0.5㎜厚的膜带。虽然流延和挤膜生产效率高,但其制备的膜带致密性差,容易形成气孔,从而导致绝缘电阻较差,可靠性差;而轧膜工艺不利于批量化生产。
发明内容
为了克服现有技术中存在的上述缺陷,本发明旨在提供一种提高超薄压电陶瓷片致密度的方法,该方法既能满足大规模批量化生产的需求、又可提高产品质量。
为了实现上述目的,本发明方法采用以下技术方案:
1)将压电陶瓷粉体、粘合剂、消泡剂、分散剂、增塑剂、乙醇、去离子水混合,球磨,得浆料;
2)去除浆料中的气泡,然后流延成0.02-0.1㎜厚的膜带;
3)精轧所述流延膜带至所需厚度,保证每次精轧的厚度减少量为0.005-0.02㎜;
4)将精轧后的膜带冲压成膜片,然后排胶、烧结。
与现有技术比较,本发明由于采用了上述技术方案,采用了流延工艺与轧膜工艺相结合的复合工艺进行制膜,因此不仅可消除或缩小流延过程所产生气孔、提高了压电陶瓷片的可靠性,而且还能够提高陶瓷膜带生坯的密度。另外,采用复合工艺还能克服单一轧膜工艺生产效率低的缺陷。试验表明,采用本发明方法制备的超薄压电陶瓷膜带生坯,其密度可提升17%以上;采用本发明方法制备的压电陶瓷片成品,其密度可达到理论密度的98%以上。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明:
实施例1,制备厚度为0.035mm的超薄压电陶瓷片。
1)按常规方法制备压电陶瓷粉体:
1.1)一次球磨:将Pb3O4、ZrO2、TiO2、Sb2O3、Nb2O5、NiO、MgO、Li2CO3等原料粉体按常规方法混合,然后再与无水乙醇、锆球按常规方法混合,球磨,按常规方法烘干、过筛,得生瓷粉;
1.2)预烧:将所述生瓷粉按常规方法烧结,冷却后过筛,得瓷粉;
1.3)二次球磨:将所述瓷粉按常规方法与无水乙醇、锆球混合,球磨,然后烘干、过筛,得压电陶瓷粉体;
2)按常规方法制备流延制膜:
2.1)将所述压电陶瓷粉体按常规方法与粘合剂、消泡剂、分散剂、增塑剂、乙醇、去离子水混合,球磨,得浆料;
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