[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201911325190.3 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111354722A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 河兆富;郑枳蓏;金成贤 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/31;H01L23/485
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙丽妍;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

框架,具有彼此相对的第一表面和第二表面,具有第一通孔和第二通孔,并且包括连接所述第一表面和所述第二表面的布线结构;

连接结构,设置在所述框架的所述第一表面上,并且具有连接到所述布线结构的重新分布层;

第一半导体芯片,设置在所述连接结构上并位于所述第一通孔中,并且具有第一表面和第二表面,所述第一表面具有连接到所述重新分布层的第一垫,所述第二表面与所述第一表面相对且具有第二垫;

第二半导体芯片,设置在所述连接结构上并位于所述第二通孔中,并且具有有效表面和无效表面,所述有效表面具有连接到所述重新分布层的连接垫,所述无效表面与所述有效表面相对;

包封剂,包封所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片;以及

布线层,设置在所述包封剂以及所述框架的所述第二表面上,并且连接到所述第一半导体芯片的所述第二垫和所述布线结构。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述布线层通过设置在所述包封剂中的多个过孔连接到所述第一半导体芯片的所述第二垫。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述包封剂具有使所述第一半导体芯片的第二表面的至少一部分暴露的开口,并且所述布线层通过位于所述包封剂的所述开口中的导电粘合构件连接到所述第二垫。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括设置在所述包封剂的与所述第二半导体芯片的所述无效表面对应的区域中的散热层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述散热层位于与所述布线层的高度相同的高度处,并且包括与所述布线层的材料相同的材料。

6.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述散热层通过设置在所述包封剂中的多个过孔连接到所述第二半导体芯片的所述无效表面。

7.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述包封剂具有使所述第二半导体芯片的所述无效表面的至少一部分暴露的开口,并且所述散热层连接到位于所述包封剂的所述开口中的导电粘合构件。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一半导体芯片是功率器件芯片,并且所述第二半导体芯片包括控制集成电路芯片。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件,其中,所述功率器件芯片包括绝缘栅双极晶体管芯片和场效应晶体管芯片中的一者,所述绝缘栅双极晶体管芯片包括发射极、栅极和集电极,所述场效应晶体管芯片包括源极、栅极和漏极。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述第一垫中的一个是所述绝缘栅双极晶体管芯片的发射极和集电极中的一者,所述第一垫中的另一个是所述绝缘栅双极晶体管芯片的栅极,并且所述第二垫是所述绝缘栅双极晶体管芯片的发射极和集电极中的另一者,或者

所述第一垫中的一者是所述场效应晶体管芯片的源极和漏极中的一者,所述第一垫中的另一者是所述场效应晶体管芯片的栅极,并且所述第二垫是所述场效应晶体管芯片的源极和漏极中的另一者。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述框架还包括第三通孔,并且所述半导体封装件还包括容纳在所述第三通孔中的第三半导体芯片或无源组件。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述框架包括多个绝缘层,所述布线结构包括分别设置在所述多个绝缘层中的多个布线图案以及连接所述多个布线图案的布线过孔,并且所述框架还包括电感器,所述电感器包括所述多个布线图案中的一些和所述布线过孔中的至少一个。

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