[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载置台(2)在在外周面设置有将加热器(6c)与供电端子(31)连接的配线(32)且该配线内包在绝缘物中。第二载置台(7)沿第一载置台(2)的外周面设置，用于载置聚焦环(5)。

技术领域

本发明的各种方面和实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术

根据现有技术，已知对半导体晶片等的被处理体使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。在这样的等离子处理装置中，为了实现被处理体的加工的面内均匀性，进行被处理体的温度控制是非常重要的。因此，对于等离子体处理装置，为了进行高级的温度控制，在载置被处理体的载置台的内部埋设有温度调节用的加热器。需要向加热器供给电力。因此，在等离子体处理装置中，在载置台的外周区域设置供电端子，从供电端子向加热器供给电力(例如参照下述专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-1688号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

在等离子体处理装置中，在被处理体的载置区域的周围配置聚焦环。但是，如专利文献1所示，在载置台的外周区域设置有供电端子的情况下，为了在载置被处理体的载置区域的外侧配置供电端子，载置台的径向的尺寸变大。在等离子体处理装置中，载置台的径向的尺寸变大时，聚焦环和与设置有供电端子的载置台的外周区域的重叠部分变大，聚焦环的径向的温度容易产生不均匀。在等离子体处理装置中，当聚焦环的径向的温度产生不均匀时，对被处理体进行的等离子体处理的面内的均匀性降低。

用于解决技术问题的技术方案

在一个实施方式中，公开的一种等离子体处理装置具有第一载置台和第二载置台。第一载置台具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面和外周面。第一载置台在载置面设置有加热器，在载置面的背面侧设置有供电端子。第一载置台在外周面设置有连接加热器与供电端子的配线且该配线内包绝缘物中。第二载置台沿第一载置台的外周面设置以载置聚焦环。

发明效果

根据公开的等离子体处理装置的一个实施方式，能够有效地抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。

附图说明

图1是表示实施方式中的等离子体处理装置的概略的构成的概略截面图。

图2是表示第一实施方式的第一载置台和第二载置台的主要部分构成的概略截面图。

图3是表示配置有加热器的区域的一个例子的图。

图4是表示生片的一个例子的图。

图5是表示制造绝缘部方法的一个例子的图。

图6是表示第二实施方式的第一载置台和第二载置台的主要部分构成的概略截面图。

图7是对第二实施方式的静电卡盘和绝缘部的制作方法进行说明的图。

附图标记说明

1 处理容器

2 第一载置台

2d 制冷剂流路

3 基座

5 聚焦环

6 静电卡盘

6c 加热器