[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体处理容器；

设置在所述等离子体处理容器内，包括至少1个加热器的基片载置台；

设置在所述等离子体处理容器内、并设置在所述基片载置台的周围的聚焦环载置台；

设置在所述基片载置台与所述聚焦环载置台之间的绝缘部；

可与外部电源连接的至少1个供电端子；和

设置在所述绝缘部内，分别连接所述至少1个加热器与所述至少1个供电端子的至少1个配线。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述基片载置台包括包含绝缘体的静电卡盘，所述至少1个加热器设置在所述绝缘体内。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述基片载置台包括具有制冷剂流路的基座和绝缘层，所述静电卡盘通过所述绝缘层与所述基座相接。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述基座具有第1热传导率，所述绝缘部具有第2热传导率，所述第2热传导率比所述第1热传导率低。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述绝缘部由陶瓷材料形成。

6.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述静电卡盘具有多个区域，

所述至少1个加热器包括设置在所述多个区域的各个区域的多个加热器，

所述至少1个供电端子包括与所述多个加热器分别连接的多个供电端子。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述绝缘部沿所述基片载置台的外周面设置，在所述绝缘部与所述基片载置台的所述外周面之间形成了间隙。

8.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述绝缘部是沿所述基片载置台的外周面形成的喷镀膜。

9.一种装置，其特征在于，包括：

包括至少1个加热器的基片载置台；

设置在所述基片载置台的周围的聚焦环载置台；

设置在所述基片载置台与所述聚焦环载置台之间的绝缘部；

可与外部电源连接的至少1个供电端子；和

设置在所述绝缘部内，分别连接所述至少1个加热器与所述至少1个供电端子的至少1个配线。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于：

所述基片载置台包括包含绝缘体的静电卡盘，所述至少1个加热器设置在所述绝缘体内。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于：

所述基片载置台包括具有制冷剂流路的基座和绝缘层，所述静电卡盘通过所述绝缘层与所述基座相接。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于：

所述基座具有第1热传导率，所述绝缘部具有第2热传导率，所述第2热传导率比所述第1热传导率低。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于：

所述绝缘部由陶瓷材料形成。

14.如权利要求10所述的装置，其特征在于：

所述静电卡盘具有多个区域，

所述至少1个加热器包括设置在所述多个区域的各个区域的多个加热器，

所述所述至少1个供电端子包括与所述多个加热器分别连接的多个供电端子。

15.如权利要求9～14中任一项所述的装置，其特征在于：

所述绝缘部沿所述基片载置台的外周面设置，在所述绝缘部与所述基片载置台的所述外周面之间形成了间隙。

16.如权利要求9～14中任一项所述的装置，其特征在于：

所述绝缘部是沿所述基片载置台的外周面形成的喷镀膜。