[发明专利]一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖

说明书

本发明公开了一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，所述制备方法包括：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型；所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；通过控制生产过程参数以及合适的成分及配比的干粒及干粒保护釉，制备性能优良的抛晶砖；本发明能够适用于现有生产设备，无需改造生产线；采用的淋釉工艺，釉层更加均匀，采用钟罩淋釉，调节釉量更加方便，易于回收；所需釉层更薄，仅为干法干粒用量的五分之一，用量更低，烧成周期更短，不仅降低了生产成本低，而且提高了生产效率；同时相较于干法釉层气泡、针孔等缺陷较少，发色更为细腻丰富。

技术领域

本发明涉及建筑陶瓷砖的技术领域，特别涉及一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖。

背景技术

抛晶砖最大的优点就在于它和其他的抛釉砖相比，有着较强的理化性能。耐磨耐压、耐酸碱以及防滑性都很好，同时由于其高温下烧成玻璃态成分较高，使其具有较高的光泽度，发色细腻，立体感强，展现出晶莹剔透的装饰效果，深受消费者的喜爱。

但目前生产抛晶砖采用的干法一次烧成工艺，(1)由于该工艺采用粗细干粒熔块搭配，为了使干粒表面的干粒能够最大程度的熔平需要，需要在砖面堆积2～5公斤/㎡厚的干粒，才能够在抛光工序将釉面抛平，同时需要在布施完干粒熔块后喷一层保护釉固定干粒层，生产较为复杂；较厚的干粒层使得面釉层和砖坯产生的气泡不容易快速排出，容易出现气泡、针孔、凹釉等缺陷。(2)布施干粒需要在釉线新增干粒布料机等一套设备，需要较大的投入。(3)该工艺由于粗干粒熔块成分较高，为了使釉面尽可能的熔平，烧成温度较高，烧成周期较长，影响生产效率。

可见，现有技术还有待改进和提高。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，旨在简化现有生产工艺，提高生产效率，降低生产成本。

为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：

一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型。

所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述砖坯的粉料颗粒级配为20～100目，粉料的水分控制在6.7％～7.2％；第一次干燥的干燥温度为150～175℃，干燥周期为60～75min。

所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，在第一次干燥之后，布施面釉之前还包括在砖坯上喷水，喷水量为70～90g/m²；控制砖坯温度为80～115℃。

所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述面釉的布施量为459～505g/m²；采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1050～1190g/m²。

所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述第二次干燥中，干燥窑的温度为160～180℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为50～65℃。

所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为75～85min。

一种湿法干粒抛晶砖，由湿法干粒抛晶砖的制备方法制得；所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉由干粒、高岭土、悬浮剂和水组成，按重量比计算，由如下成分组成：干粒80～120份、高岭土1.9～2.5份、悬浮剂29～35份、水10～14份；所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷。

所述的湿法干粒抛晶砖中，所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅40～45份、氧化铝11～16份、氧化钙15～20份、氧化镁10～15份、氧化钾5.5～5.9份、氧化锌4～8份、氧化钡3～4份、三氧化二铋0.05～0.2份、五氧化二钒0.3～0.5份。