[发明专利]一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖有效
| 申请号: | 201911322935.0 | 申请日: | 2019-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN110981197B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
| 发明(设计)人: | 张良;刘俊荣 | 申请(专利权)人: | 佛山欧神诺陶瓷有限公司 |
| 主分类号: | C03C8/02 | 分类号: | C03C8/02;C03C8/14;C03C8/20;B28B11/00;B28B11/04;B28B11/24 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
| 地址: | 528000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 湿法 干粒抛晶砖 制备 方法 抛晶砖 | ||
1.一种湿法干粒抛晶砖的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
A.制备砖坯,所述砖坯的粉料颗粒级配为20~100目,粉料的水分控制在6.7%~7.2%;
B.第一次干燥,第一次干燥的干燥温度为150~175℃,干燥周期为60~75min;
C.在砖坯上喷水,喷水量为70~90g/m2;控制砖坯温度为80~115℃;
D.布施面釉,其布施量为459~505g/m2;
E.喷墨印花;
F.采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉,其布施量为1050~1190g/m2;
G.第二次干燥,干燥窑的温度为160~180℃,干燥周期为6~8min,出干燥窑的砖坯温度为50~65℃;
H.在烧制温度为1170~1175℃,烧成周期为75~85min的条件下烧制,制得湿法干粒抛晶砖;
所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为:砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层;所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得,所述干粒保护釉按重量比计算,由如下成分组成:干粒80~120份、高岭土1.9~2.5份、悬浮剂29~35份、水10~14份;所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷;所述干粒按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅40~45份、氧化铝11~16份、氧化钙15~20份、氧化镁10~15份、氧化钾5.5~5.9份、氧化锌4~8份、氧化钡3~4份、三氧化二铋0.05~0.2份、五氧化二钒0.3~0.5份;所述干粒的粒径为90~200目;所述面釉层由基料和辅料组成;所述基料按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅45~56份、氧化铝10~15份、氧化钙5~9份、氧化钡3~7份、氧化锌10~13份、氧化钠1~3份、氧化钾2~6份、氧化镁1~3份;所述辅料按基料的重量份100份计算,由如下成分组成:氧化锆20~27份、三聚磷酸钠0.2~0.3份、羧甲基纤维素钠0.1~0.2份、水36~42份。
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