[发明专利]一种宽带射频开关架构

说明书

本发明提供一种宽带射频开关架构，包括：信号输入端口及两个信号输出端口；两个所述信号输出端口与所述信号输入端口之间分别接有第一隔离模块及第二隔离模块，所述第一隔离模块及所述第二隔离模块为左右对称结构，且均通过电容及芯片打线接地。本发明的一种宽带射频开关架构，通过在隔离模块连接电容及芯片打线到地的方式，提出了一种增强隔离度的射频开关，在增加射频开关隔离度的同时，几乎不增大芯片的插损，具有高隔离度，低插入损耗，可承受高功率的效果。

技术领域

本发明涉及一种无线通信，电子对抗、雷达系统等领域，特别是涉及一种宽带射频开关架构。

背景技术

在通信系统收发电路中，通常采用开关切换技术来使收发通道共用一个天线，减小系统器件冗余。射频开关是用来射频信号传输路径及信号大小的控制器件。随着现代无线通信系统的发展，通信领域对射频开关的要求越来越高，要求包括低的插入损耗，高的可承受功率，快的开关切换速度，以及高的端口隔离度。现有射频开关产品中，一般采用单级的串并结构，很难同时实现低插入损耗和高隔离度。如果隔离度低的话，不同通道不同模块间信号会串扰，严重影响射频系统的精度，稳定性和性能。

请参阅图1，图中为常见的单刀双掷开关接线示意图，包括信号输入端口ANT，射频端口RF1及射频端口RF2；信号输入端口ANT与射频端口RF1及射频端口RF2之间均接有隔离模块，所述隔离模块为两个晶体管的串并联结构，且两个所述隔离模块左右对称结构。

当第一控制信号V1高电平，第二控制信号V2低电平时，串联支路上，第一晶体管导通，信号输入端口ANT到射频端口RF1之间信号传输通路开启；同时，晶体管M3关断，信号输入端口ANT到射频端口RF2间信号传输通道关闭。并联支路上，第二晶体管导通，部分泄露信号通过此时的晶体管M4的导通电阻到地。

晶体管作为射频开关，当它开启时，起主要作用的是其导通电阻；当它关断时，请参阅图2，晶体管固有的寄生电容Cgs，Cgd，Cbs，Cbd会提供射频信号通路，从而降低芯片端口的隔离度。传统方法上，为了增加隔离度，一般是通过减小串联信号通路上管子的宽度，从而减小寄生电容的大小。但管子宽度减小的同时，导通电阻也随之增大，这样会增加插入损耗，插入损耗的增加会引起信号的损耗，这也是通信系统中难以接受的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种宽带射频开关架构，用于解决现有技术中为了增加隔离度，减小串联信号通路上管子的宽度，导致增加了插入损耗，从而导致信号损耗的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种宽带射频开关架构，包括：

信号输入端口及两个信号输出端口；

两个所述信号输出端口与所述信号输入端口之间分别接有第一隔离模块及第二隔离模块，所述第一隔离模块及所述第二隔离模块为左右对称结构，且均通过电容及芯片打线接地。

于本发明的一实施例中，所述第一隔离模块及所述第二隔离模块均包括多个隔离单元，每个所述隔离单元相互串联。

于本发明的一实施例中，所述隔离单元包括第一晶体管及第二晶体管；

所述第一晶体管的漏极作为所述隔离单元的第一管脚，

所述第一晶体管的源极作为所述隔离单元的第二管脚，所述第一晶体管的源极还与所述第二晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的源极作为所述隔离单元的第三管脚，

所述第三管脚通过电容及芯片打线接地；

所述第一隔离模块中的第一晶体管的栅极接第一控制信号，第二晶体管的栅极接第二控制信号；

所述第二隔离模块中的第一晶体管的栅极接第二控制信号，第二晶体管的栅极接第一控制信号。