[发明专利]用于三维NAND的堆叠架构

权利要求书

1.一种形成具有多个存储器区段的堆叠存储器的方法，所述方法包括：

在牺牲衬底上形成第一存储器区段；

在衬底上形成逻辑区段；

将所述逻辑区段键合到所述第一存储器区段；

从所述第一存储器区段移除所述牺牲衬底；

形成具有第二牺牲衬底的第二存储器区段；以及

使所述第二存储器区段与所述第一存储器区段键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二存储器区段键合到所述第一存储器区段的表面，所述表面与所述逻辑区段所键合的所述第一存储器区段的另一表面相对。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一存储器区段包括第一组混合焊盘，并且所述逻辑区段包括第二组混合焊盘，并且将所述第一存储器区段键合到所述逻辑区段包括将所述第一组混合焊盘键合到所述第二组混合焊盘。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在移除所述牺牲衬底时，在所述第一存储器区段的第二表面上形成附加的一组混合焊盘，其中所述第二表面与形成所述第一组混合焊盘的表面相对。

5.根据权利要求4所述的方法，其中将所述第二存储器区段键合到所述第一存储器区段包括将所述附加的一组混合焊盘键合到所述第二存储器区段上的一组混合焊盘。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

移除所述第二牺牲衬底并且在所述第二存储器区段的第二表面上形成附加的一组混合焊盘，其中所述第二表面与所述第二存储器区段键合到所述第一存储器区段的表面相对。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

将第三存储器区段键合到所述第二存储器区段的所述第二表面，其中键合所述第三存储器区段和所述第二存储器区段包括将所述第三存储器区段上的一组混合焊盘键合到所述第二存储器区段的所述附加的一组混合焊盘。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述逻辑区段键合到所述第一存储器区段并且将所述第二存储器区段键合到所述第一存储器区段包括ZiBond直接键合和/或直接键合互连(DBI)混合键合。

9.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一存储器区段包括第一组通孔，并且所述第二存储器区段包括第二组通孔，并且

其中键合所述附加的一组混合焊盘和所述第二存储器区段上的所述一组混合焊盘将所述第一组通孔中的一者或多者与所述第二组通孔中的一者或多者连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一组通孔中的一者或多者连接到所述第一存储器区段中的存储器金字塔，并且所述第二组通孔中的一者或多者连接到所述第二存储器区段中的存储器金字塔。

11.一种具有多个存储器区段的堆叠存储器(SNMMS)，包括：

第一存储器区段；

第二存储器区段；和

逻辑区段；

其中所述逻辑区段键合到所述第一存储器区段的第一表面，并且所述第二存储器键合到所述第一存储器区段的相对的第二表面。

12.根据权利要求11所述的SNMSS，其中所述第一存储器区段包括第一组焊盘并且所述逻辑区段包括第二组焊盘，并且所述第一组混合焊盘键合到所述第二组混合焊盘。

13.根据权利要求12所述的SNMSS，其中所述第一存储器区段包括形成在所述第一存储器区段的第二表面上的附加的一组混合焊盘，其中所述第二表面与形成所述第一组混合焊盘的所述第一表面相对。

14.根据权利要求13所述的SNMSS，所述第二存储器区段包括一组混合焊盘，其中所述第二存储器区段的所述一组混合焊盘键合到所述附加的一组混合焊盘。