[发明专利]基板载置台及基板处理装置在审
申请号: | 201911314810.3 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN111383986A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 多贺敏;佐藤直行;西田辰夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置台 处理 装置 | ||
例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间,且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。
技术领域
本公开的例示性实施方式涉及一种基板载置台及基板处理装置。
背景技术
载置于载置台上的基板(晶圆)能够被静电卡盘保持。静电卡盘通过静电力将晶圆静电吸附于载置台。专利文献1(日本特开2008-117982号公报)中公开的载置装置具备载置体及静电卡盘。载置体载置被处理体。静电卡盘具备绝缘层及埋设于绝缘层的电极层。通过静电卡盘,对电极层施加电压,由此在电极层与被处理体之间产生静电力而在绝缘层的表面静电吸附被处理体。作为电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层为通过等离子体喷镀形成的200~280μm厚度的氧化钇喷镀层。静电卡盘层的表面形成为依赖于所喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度。
发明内容
例示性实施方式中,提供基板载置台。基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间,且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。
附图说明
图1为表示例示性实施方式所涉及的基板载置台的结构的一例的图。
图2为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的一例的图。
图3为表示图1所示的基板载置台的一部分的结构的一例的图。
图4为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图5为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图6为用于说明图2~5各自所示的包覆层的形成方法的图。
图7为表示设置有图1所示的基板载置台的基板处理装置的结构的一例的图。
图8为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图9为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图10为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图11为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图12为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图13为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图14为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图15为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图16为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图17为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图18为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图19为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图20为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
图21为表示图1所示的基板载置台的端部的结构的另一例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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