[发明专利]基板载置台及基板处理装置在审
| 申请号: | 201911314810.3 | 申请日: | 2019-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN111383986A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
| 发明(设计)人: | 多贺敏;佐藤直行;西田辰夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板载置台 处理 装置 | ||
1.一种基板载置台,其具备:
基座;及
静电卡盘,设置于所述基座上,
所述静电卡盘具备:
层叠部,设置于所述基座上;
中间层,设置于所述层叠部上;及
包覆层,设置于所述中间层上,
所述层叠部具备设置于所述基座上的第1层、设置于该第1层上的电极层及设置于该电极层上的第2层,
所述中间层设置于所述第2层与所述包覆层之间,且与该第2层和该包覆层紧贴,
所述第2层为树脂层,
所述包覆层为陶瓷。
2.根据权利要求1所述的基板载置台,其中,
所述第1层为树脂层。
3.根据权利要求2所述的基板载置台,其中,
所述基座具备主体部及设置于该基座的侧面的侧壁部,
所述静电卡盘配置于所述主体部及所述侧壁部上,
所述第1层及所述第2层各自的直径大于所述主体部的直径,
所述第1层及所述第2层以与所述侧壁部重叠的方式在所述基座上延伸。
4.根据权利要求2或3所述的基板载置台,其中,
所述中间层具备覆盖所述层叠部的侧面的端部区域,
所述端部区域与所述基座接触,且具有前端向远离所述层叠部的方向变细的锥形形状。
5.根据权利要求4所述的基板载置台,其中,
所述端部区域的锥角为45°以下。
6.根据权利要求2~5中任一项所述的基板载置台,其中,
所述第1层的材料及所述第2层的材料为聚酰亚胺树脂、硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂中的任一种。
7.根据权利要求1所述的基板载置台,其还具备:
端部区域,
所述端部区域覆盖所述层叠部的侧面,
所述端部区域的材料为树脂或绝缘体,
所述第1层为绝缘层或树脂层。
8.根据权利要求7所述的基板载置台,其中,
所述第1层为绝缘层时该第1层的材料为陶瓷,
所述第1层为树脂层时该第1层的材料为聚酰亚胺树脂、硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂中的任一种,
所述第2层的材料为聚酰亚胺树脂、硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂中的任一种。
9.根据权利要求7或8所述的基板载置台,其中,
树脂的所述端部区域具有前端向远离所述层叠部的方向变细的锥形形状。
10.根据权利要求7或8所述的基板载置台,其中,
所述基座在该基座的表面具有绝缘区域,
所述绝缘区域具有沿所述层叠部的侧面延伸的部位,树脂的所述端部区域设置于该层叠部的该侧面与该绝缘区域的该部位之间。
11.根据权利要求7或8所述的基板载置台,其中,
所述基座具备主体部及设置于该基座的侧面的侧壁部,
所述静电卡盘配置于所述主体部及所述侧壁部上,
所述第1层及所述第2层各自的内径小于所述主体部的内径,
所述第1层及所述第2层以与所述侧壁部重叠的方式在所述基座上延伸,
所述侧壁部的表面具有沿所述层叠部的侧面延伸的部位,树脂的所述端部区域设置于该层叠部的该侧面与该侧壁部的该表面的该部位之间。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的基板载置台,其中,
所述电极层的直径小于所述第1层及所述第2层各自的直径。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的基板载置台,其中,
所述中间层包覆设置于所述基座的所述层叠部的整个表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911314810.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





