[发明专利]一种含硒量子点及其合成方法

权利要求书

1.一种含硒量子点的合成方法，其特征在于包括：

提供包含量子点核的反应体系；

于所述反应体系中加入硒源和阳离子源，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的含硒量子点；其中，所述硒源包括二硒化碳。

2.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述硒源由二硒化碳与胺类物质混合形成；优选的，所述胺类物质包括油胺、十六胺、正辛胺、癸胺、己二胺中的任意一种或两种以上的组合。

3.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述量子点核包括Ⅱ-Ⅵ、Ⅲ-Ⅴ、I-III-VI和I-VI量子点中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述量子点核包括CdSe、CdSeS、CdZnSeS、ZnSe、ZnSeS、CuInSe、CuInZnSe中的任意一种或两种以上的组合；

和/或，所述阳离子源中的阳离子包括Cd²⁺，Zn²⁺，In³⁺中的任意一种或两种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述壳层包括ZnS、ZnSe、ZnSeS、CdS、CdZnSe、CdZnS、In₂S₃、InZnS中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述壳层包括ZnSe、ZnSeS、CdZnSe、CdS、CdZnS中的任意一种或两种以上的组合。

5.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述量子点核包括含硒量子点核；优选的，所述含硒量子点核的合成方法包括：使包含有阳离子源和溶剂的混合反应体系于100～130℃反应30min～2h，之后升温至300～320℃加入硒源反应1～30min，得到所述含硒量子点核。

6.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于包括：

于150～320℃，向所述包含量子点核的反应体系中滴加硒源或者滴加硒源与阳离子源，反应1～60min，得到包覆有含硒壳层的量子点。

7.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于还包括：于150～250℃，向所述包含量子点核的反应体系中滴加含二乙基二硫代氨基甲酸锌反应1～60min，得到包覆有ZnS壳层的量子点。

8.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述反应体系中所含溶剂为配位溶剂和/或非配位溶剂。

9.根据权利要求8所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述配位溶剂包括碳原子数量在5以上的饱和或不饱和脂肪酸和/或碳原子数量在6以上的饱和或不饱和胺类化合物；

和/或，所述非配位溶剂包括碳原子数量在10以上的烷烃类化合物、烯烃类化合物、醚类化合物和芳香族化合物中的任意一种或两种以上的组合。

10.由权利要求1-9中任一项所述的方法合成的含硒量子点；优选的，所述含硒量子点的尺寸为3～15nm。