[发明专利]一种含硒量子点及其合成方法

说明书

本发明公开了一种含硒量子点及其合成方法。所述含硒量子点的合成方法包括：向包含量子点核的反应体系中加入硒源和阳离子源，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的量子点；其中，所述硒源包括二硒化碳。本发明以二硒化碳与胺类结合作为硒源，与传统使用三辛基膦硒和三丁基磷硒作为硒源合成的量子点相比较，避免使用昂贵的三丁基磷和三辛基膦简化了制备工艺，减少了部分前驱体的使用，减少了能源的使用，尤为适用于目前量子点产业化的各方面需求；同时本发明所获量子点的尺寸均一，单分散性较好，发射波长可调控，量子效率高。

技术领域

本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种含硒量子点及其合成方法。

背景技术

量子点是一种新型纳米发光材料，由于量子点的溶液可加工性和尺寸依赖的光致发光/电致发光特性，量子点在高性能发光二极管(LED)、生物医学标记、激光器和单光子源等领域得到了广泛的研究和探索。这些多领域的应用推动着量子点从实验室微量制备到规模户生产。

现如今量子点制备方法仍使用主流的溶液法制备。但是在量子点制备过程中有着众多阻碍其商业化发展的问题。传统的溶液法制备量子点所用非金属原料如(Se、S)都是需要将其溶解在三辛基膦或三丁基膦中。这些溶剂价格昂贵，且制备周期过长，具有毒性，不利于量子点的商业化发展。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种含硒量子点及其合成方法，以克服现有技术的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种含硒量子点的合成方法，其包括：

提供包含量子点核的反应体系；

于所述反应体系中加入硒源和阳离子源，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的含硒量子点；其中，所述硒源包括二硒化碳。

本发明实施例还提供了由前述方法合成的含硒量子点。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

(1)本发明以二硒化碳与胺类结合作为硒源，与传统使用三辛基磷硒(TOPSe)和三丁基磷硒(TBPSe)作为硒源合成的量子点相比较，避免使用昂贵的三丁基磷(TBP)和三辛基膦(TOP)简化了制备工艺，减少了部分前驱体的使用，减少了能源的使用，尤为适用于目前量子点产业化的各方面需求；

(2)本发明所得量子点的尺寸较为均一，尺寸为3～15nm，单分散性较好，发射波长可调控，半峰宽小于25nm，量子效率大于90％。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例1-2所获量子点膜在湿度为85％、温度为85℃下的效率测试图；

图2是本发明实施例6所获量子点的TEM图；

图3是本发明实施例7所获量子点的TEM图。

具体实施方式

鉴于现有技术的缺陷，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案，下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例的一个方面提供了一种含硒量子点的合成方法，其包括：

提供包含量子点核的反应体系；