[发明专利]一种高压LDO电路在审

专利信息
申请号: 201911311151.8 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111352458A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 董磊;冯瑜;付静;李敏娟 申请(专利权)人: 西安航天民芯科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 代理人: 刘伟
地址: 710000 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 ldo 电路
【说明书】:

发明属于电池管理技术领域,具体公开了一种低压差线性稳压器(LDO)电路,包含偏置和启动电路、上电复位电路、运算放大器电路,所述偏置和启动电路输出端与运算放大器输入端连接,远算放大器输出端与上电复位电路输入端连接,上电复位电路输出端与偏置和启动电路输入端连接。该电路适用于所有单个高压电源供电的应用,可以把高压转换为适用于芯片内部的低压电路。

技术领域

本发明属于电池管理技术领域,尤其涉及一种高压LDO电路。

背景技术

节能和环保成为汽车工业发展的新目标,新一代电动汽车作为能源可多样化配置的新型交通工具,以其零排放、低噪声等优点,引起人们的普遍关注并得到了极大的发展。但制约电动汽车发展的问题依然是储能动力电池和应用技术,如何延长电池使用寿命、提高电池的能量效率和运行可靠性,是电动汽车能量管理系统必需解决的问题。电池管理系统主要通过对电池电压、电流和温度等参数进行测量,其中电池电压参数对于电池的安全性尤为重要,现有的单片集成的高压 LDO电路由于面积较大、功耗大等因素,无法满足本电池管理系统的设计要求。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提供了一种高压LDO电路,包含偏置和启动电路、上电复位电路、运算放大器电路,所述偏置和启动电路输出端与运算放大器输入端连接,远算放大器输出端与上电复位电路输入端连接,上电复位电路输出端与偏置和启动电路输入端连接。

作为上述方案的进一步说明,所述偏置和启动电路包括第一P型 DMOS管、第二P型DMOS管、第三P型DMOS管、第四P型DMOS管、第五P型DMOS管、第六P型DMOS管、第七P型DMOS管、第一N型 DMOS管、第二N型DMOS管、第三N型DMOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS 管、电平转换器、第一电阻;

所述第一N型DMOS管的栅极和漏极、第二N型DMOS管的栅极、第三N型DMOS管的栅极、第四P型DMOS管的漏极均与第五N型MOS 管的漏极连接;

所述第一N型MOS管的栅极和漏极、第二N型MOS管的栅极、第三N型MOS管的栅极、第一N型DMOS管的源极均与第四N型MOS管的漏极连接;

所述第二N型DMOS管的源极与第二N型MOS管的漏极连接;

所述第三N型DMOS管的源极与第三N型MOS管的漏极连接;

所述第四P型DMOS管的源极与第二P型MOS管的漏极连接;

所述第五P型DMOS管的栅极和漏极、第三N型DMOS管的漏极、第三N型DMOS管的栅极、第七P型DMOS管的栅极均与第六P型DMOS 管的漏极连接;

所述第六P型DMOS管的栅极与电平转换器的输出端连接;

所述第一N型MOS管的源极、第二N型MOS管的源极、第三N型 MOS管的源极、第四N型MOS管的源极、第五N型MOS管的源极均与地连接。

作为上述方案的进一步说明,所述上电复位电路包含第六N型 MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第二电阻、施密特触发器、反相器;

所述第三P型MOS管的栅极、第三P型MOS管的漏极、第四P型 MOS管的栅极均与第六N型MOS管的栅极和第六N型MOS管的漏极连接;

所述第四P型MOS管的漏极与第二电阻的一端与施密特触发器的输入端分别连接;

所述施密特触发器的输出端与反相器的输入端连接;

所述第六N型MOS管的源极、第二电阻的另一端与地连接。

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