[发明专利]一种高压LDO电路

权利要求书

1.一种高压LDO电路，其特征在于，包含偏置和启动电路、上电复位电路、运算放大器电路；所述偏置和启动电路输出端与运算放大器输入端连接，远算放大器输出端与上电复位电路输入端连接，上电复位电路输出端与偏置和启动电路输入端连接。

2.如权利要求1所述的一种高压LDO电路，其特征在于，所述偏置和启动电路包括第一P型DMOS管、第二P型DMOS管、第三P型DMOS管、第四P型DMOS管、第五P型DMOS管、第六P型DMOS管、第七P型DMOS管、第一N型DMOS管、第二N型DMOS管、第三N型DMOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、电平转换器、第一电阻；

所述第一N型DMOS管的栅极和漏极、第二N型DMOS管的栅极、第三N型DMOS管的栅极、第四P型DMOS管的漏极均与第五N型MOS管的漏极连接；

所述第一N型MOS管的栅极和漏极、第二N型MOS管的栅极、第三N型MOS管的栅极、第一N型DMOS管的源极均与第四N型MOS管的漏极连接；

所述第二N型DMOS管的源极与第二N型MOS管的漏极连接；

所述第三N型DMOS管的源极与第三N型MOS管的漏极连接；

所述第四P型DMOS管的源极与第二P型MOS管的漏极连接；

所述第五P型DMOS管的栅极和漏极、第三N型DMOS管的漏极、第三N型DMOS管的栅极、第七P型DMOS管的栅极均与第六P型DMOS管的漏极连接；

所述第六P型DMOS管的栅极与电平转换器的输出端连接；

所述第一N型MOS管的源极、第二N型MOS管的源极、第三N型MOS管的源极、第四N型MOS管的源极、第五N型MOS管的源极均与地连接。

3.如权利要求1所述的一种高压LDO电路，其特征在于，所述上电复位电路包含第六N型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第二电阻、施密特触发器、反相器；

所述第三P型MOS管的栅极、第三P型MOS管的漏极、第四P型MOS管的栅极均与第六N型MOS管的栅极和第六N型MOS管的漏极连接；

所述第四P型MOS管的漏极与第二电阻的一端与施密特触发器的输入端分别连接；

所述施密特触发器的输出端与反相器的输入端连接；

所述第六N型MOS管的源极、第二电阻的另一端与地连接。