[发明专利]温度敏感偏置电路

说明书

本发明涉及温度敏感偏置电路，其中，一种示例装置包括：除其它以外，主动装置，包括第一端子；第一偏置电阻器，与该第一端子连接；以及第一电阻器，包括第一相变材料，与该第一偏置电阻器并联连接，其中，该第一相变材料针对小于第一相变温度的温度呈现第一低导电相并针对大于该第一相变温度的温度呈现第一高导电相。

技术领域

本申请通常涉及半导体装置，尤其涉及具有温度敏感偏置电路的晶体管。

背景技术

在当前的集成电路中，在单个芯片区域上形成极大量的单独电路元件，例如采用CMOS、NMOS、PMOS元件等形式的场效应晶体管。除了该大量晶体管元件以外，在集成电路中通常形成多个被动电路元件，例如电容器、电阻器等，它们被用于多种目的，例如用于去耦(decoupling)。

在晶体管例如栅极电极的制造中可使用多晶硅线。也可通过使用多晶硅线创建电阻器。多晶硅电阻器的电阻基本上由其长度及剖面面积决定。多晶硅电阻器的电阻随温度变化。

功率放大器及低噪声放大器电路通常采用双极型晶体管装置，该些装置通过使用恒定的集电极电流来操作。将多晶硅偏置电阻器与双极型晶体管的基极端子连接。随着装置的温度升高，在先进硅锗双极型晶体管中的晶体管电流增益β通常降低，从而需要增加的基极电流来维持恒定的集电极电流。该增加的基极电流导致该偏置电阻器上的电压降增加，从而导致需要增加施加于基极的电压来维持集电极电流。该增加的基极电压降低放大器的效率及线性度。该增加的温度也增加该多晶硅偏置电阻器的电阻，从而使问题进一步恶化。

本申请提供可避免或至少减少上述问题的其中一个或多个的影响的各种方法及所得装置。

发明内容

下面提供本发明的简要总结，以提供本发明的一些态样的基本理解。本发明内容并非详尽概述本发明。其并非意图识别本发明的关键或重要元件或划定本发明的范围。其唯一目的在于提供一些简化形式的概念，作为后面所讨论的更详细说明的前序。

一般来说，本申请涉及半导体装置的制造，尤其涉及温度敏感偏置电路。一种示例装置包括：除其它以外，主动装置，包括第一端子；第一偏置电阻器，与该第一端子连接；以及第一电阻器，包括第一相变(phase transition)材料，与该第一偏置电阻器并联连接，其中，该第一相变材料针对小于第一相变温度的温度呈现第一低导电相并针对大于该第一相变温度的温度呈现第一高导电相。

另一种示例装置包括：除其它以外，主动装置，包括第一端子；第一偏置电阻器，与该第一端子连接；第一电阻器，包括第一相变材料，与该第一偏置电阻器并联连接，其中，该第一相变材料针对小于第一相变温度的温度呈现第一低导电相(conductivity phase)并针对大于该第一相变温度的温度呈现第一高导电相；第二偏置电阻器，与该第一偏置电阻器串联连接；以及第二电阻器，包括第二相变材料，与该第二偏置电阻器并联连接，其中，该第二相变材料针对小于第二相变温度的温度呈现第二低导电相并针对大于该第二相变温度的温度呈现第二高导电相，其中，该第一相变温度不同于该第二相变温度。

一种示例方法包括：除其它以外，将偏置电路与双极型晶体管的基极端子连接；以及响应该偏置电路的温度超过第一预定温度，降低该偏置电路的电阻。

附图说明

参照下面结合附图所作的说明可理解本申请，该些附图中类似的附图标记表示类似的元件，且其中：

图1显示依据一些实施例的温度敏感偏置电路的电路示意图；

图2显示依据一些实施例的图1中的相变材料电阻器的温度-电阻特性曲线的示意图；

图3显示依据一些实施例包括相变材料电阻器的半导体产品的剖面；以及

图4及图5显示依据一些实施例的温度敏感偏置电路的替代实施例的电路示意图。