[发明专利]温度敏感偏置电路有效
| 申请号： | 201911308278.4 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111464138B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/04 | 分类号： | H03F3/04 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度 敏感 偏置 电路 | ||
1.一种装置，包括：
主动装置，包括第一端子；
第一偏置电阻器，与该第一端子连接；以及
第一电阻器，包括第一相变材料，与该第一偏置电阻器并联连接，其中，该第一相变材料针对小于第一相变温度的温度呈现第一低导电相并针对大于该第一相变温度的温度呈现第一高导电相。
2.如权利要求1所述的装置，还包括与该第一偏置电阻器串联连接的第二偏置电阻器。
3.如权利要求2所述的装置，其中，该第一偏置电阻器及第二偏置电阻器包括多晶硅。
4.如权利要求2所述的装置，还包括：第二电阻器，包括第二相变材料，与该第二偏置电阻器并联连接，其中，该第二相变材料针对小于第二相变温度的温度呈现第二低导电相并针对大于该第二相变温度的温度呈现第二高导电相。
5.如权利要求4所述的装置，其中，该第一电阻器位于衬底上方的第一层中，且该第二电阻器位于该第一层上方的第二层中。
6.如权利要求4所述的装置，其中，该第一相变温度不同于该第二相变温度。
7.如权利要求4所述的装置，其中，该第一相变材料包括掺杂有第一浓度的钨的钒及氧，且该第二相变材料包括掺杂有不同于该第一浓度的第二浓度的钨的钒及氧。
8.如权利要求1所述的装置，其中，该第一相变材料包括钒及氧。
9.如权利要求1所述的装置，其中，该主动装置包括双极型晶体管，且该第一端子包括基极端子。
10.一种装置，包括：
主动装置，包括第一端子；
第一偏置电阻器，与该第一端子连接；
第一电阻器，包括第一相变材料，与该第一偏置电阻器并联连接，其中，该第一相变材料针对小于第一相变温度的温度呈现第一低导电相并针对大于该第一相变温度的温度呈现第一高导电相；
第二偏置电阻器，与该第一偏置电阻器串联连接；以及
第二电阻器，包括第二相变材料，与该第二偏置电阻器并联连接，其中，该第二相变材料针对小于第二相变温度的温度呈现第二低导电相并针对大于该第二相变温度的温度呈现第二高导电相，其中，该第一相变温度不同于该第二相变温度。
11.如权利要求10所述的装置，其中，该第一偏置电阻器及第二偏置电阻器包括多晶硅。
12.如权利要求11所述的装置，其中，该第一电阻器位于衬底上方的第一层中，且该第二电阻器位于该第一层上方的第二层中。
13.如权利要求11所述的装置，其中，该第一相变材料包括掺杂有第一浓度的钨的钒及氧，且该第二相变材料包括掺杂有不同于该第一浓度的第二浓度的钨的钒及氧。
14.如权利要求11所述的装置，其中，该主动装置包括双极型晶体管，且该第一端子包括基极端子。
15.一种方法，包括：
将偏置电路与双极型晶体管的基极端子连接；以及
响应该偏置电路的温度超过第一预定温度，降低该偏置电路的电阻。
16.如权利要求15所述的方法，其中，该偏置电路包括：第一偏置电阻器，与该基极端子连接；以及第一电阻器，包括第一相变材料，与该第一偏置电阻器并联连接，其中，该第一相变材料针对小于该第一预定温度的温度呈现第一低导电相并针对大于该第一预定温度的温度呈现第一高导电相。
17.如权利要求15所述的方法，其中，该偏置电路包括：第二偏置电阻器，与该第一偏置电阻器连接。
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